[发明专利]双掺镱钠离子钼酸钙激光晶体及其制备方法无效
申请号: | 200710009434.8 | 申请日: | 2007-08-30 |
公开(公告)号: | CN101377016A | 公开(公告)日: | 2009-03-04 |
发明(设计)人: | 王国富;庄任重;林州斌;张莉珍 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
主分类号: | C30B29/32 | 分类号: | C30B29/32;C30B15/00 |
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地址: | 350002福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双掺镱 钠离子 钼酸 激光 晶体 及其 制备 方法 | ||
1.一种双掺镱钠离子钼酸钙激光晶体,其特征在于:该晶体的分子式为 Na+/Yb3+:CaMoO4,属于四方晶系,空间群为I4(1)/a,晶胞参数:密度Dc=4.76g/cm3,Yb3+离子作为激光激活离子,
其掺杂浓度在0.5at.-20at.%之间;Na+离子作为价态补偿离子,其掺杂浓 度在0.5at.-20at.%之间。
2.一种权利要求1的双掺镱钠离子钼酸钙激光晶体的制备方法,其特征在于: 该晶体采用助熔剂提拉法生长,以Na2MoO4为助溶剂,摩尔比为CaMoO4∶ Na2MoO4=0.7∶1~1∶0.7,Yb2O3和Na2CO3则按所需浓度加入;晶体生长 的参数为:生长温度1250℃,提拉速度0.1~0.5毫米/小时,晶体转速10~30 转/分钟。
3.一种权利要求1的双掺镱钠离子钼酸钙激光晶体的用途,其特征在于:该 晶体用于固体激光器中作为激光工作物质,产生1020nm波长的激光输出。
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