[发明专利]掺钕七钼酸四镧钠激光晶体制备方法无效
申请号: | 200710009977.X | 申请日: | 2007-12-11 |
公开(公告)号: | CN101457400A | 公开(公告)日: | 2009-06-17 |
发明(设计)人: | 王国富;赵旺;林州斌;张莉珍 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
主分类号: | C30B29/32 | 分类号: | C30B29/32;C30B15/00;H01S3/16 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掺钕七 钼酸 四镧钠 激光 晶体 制备 方法 | ||
1.一种掺钕七钼酸四镧钠激光晶体,其特征在于:该晶体的分子式为 Nd3+:Na2La4(MoO4)7,属于四方晶系,其单胞参数为密度4.85g/cm3,Nd3+离子作为掺杂离子,其掺杂浓度在0.5 at-15at%之间。
2.一种权利要求1的掺钕七钼酸四镧钠激光晶体的制备方法,其特征在于: 该晶体采用提拉法生长,以La2O3、Na2CO3、MoO3和Nd2O3为原料,晶 体生长的参数为生长温度1163℃,提升速度为0.5~2.0毫米/小时,晶体转 速为10~30转/分钟。
3.一种权利要求1的掺钕七钼酸四镧钠激光晶体的用途,其特征在于:该晶 体用于固体激光器中作为激光工作物质,产生1060nm和900nm波长的 激光输出。
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