[发明专利]晶片自动定位控制装置及其控制方法有效
申请号: | 200710010762.X | 申请日: | 2007-03-28 |
公开(公告)号: | CN101276774A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 杨进录 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯源先进半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;G05B19/04 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人: | 许宗富;周秀梅 |
地址: | 110168辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 自动 定位 控制 装置 及其 方法 | ||
1. 一种晶片自动定位控制装置,其特征在于包括:由晶片、承片台、伺服电机、编码器构成的主轴旋转单元,伺服电机驱动器、晶片位置检测器、误差形成器;其中主轴旋转单元中承片台安装在伺服电机轴的上端,承片台中心孔与伺服电机的中空轴相通,伺服电机的下端是与伺服电机驱动器电连接的编码器;伺服电机轴的下端口与真空系统相连,晶片吸附于承片台上;晶片位置检测器安装在旋转晶片的边沿;晶片位置检测器输出的晶片位置检测电信号作为误差形成器的一个输入信号,位置给定信号为误差形成器的另一个输入信号,误差形成器输出端的位置误差值接至伺服电机驱动器;编码器产生的作为测量系统基准的脉冲信号及伺服电机旋转角位移量反馈到误差形成器及晶片位置检测器。
2. 按照权利要求1所述晶片自动定位控制装置,其特征在于:所述伺服电机垂直安装。
3. 按照权利要求1所述晶片自动定位控制装置,其特征在于:所述伺服电机为转子轴中心设有Φ2~3mm的通孔伺服电机,其转子轴中心线穿过承片台和晶片的圆心。
4. 按照权利要求1所述晶片自动定位控制装置,其特征在于:所述编码器采用增量型脉冲编码器。
5. 按照权利要求1所述晶片自动定位控制装置,其特征在于:所述承片台的上表面有数个环形槽。
6. 按照权利要求1所述晶片自动定位控制装置,其特征在于:所述晶片位置检测器采用光电传感器,或接近式传感器。
7. 一种晶片自动定位控制方法,其特征在于包括如下步骤:
1)启动伺服电机旋转,由编码器记录伺服电机旋转的角位移,采用晶片位置检测器搜索当前定位位置信号,判断出其所在位置;
2)接收通过检测区域所发出的电信号,与设定位置相比较形成误差值,此误差值通过伺服电机驱动器控制伺服电机旋转;
3)把编码器产生伺服电机旋转角位移脉冲信号反馈到误差形成器,消除误差形成器产生的位置误差;
4)当误差消除后,伺服电机带动晶片到达指定位置,伺服电机停止转动;
5)把所述晶片送入片盒;
其中整个执行过程通过运行程序调用误差形成器完成。
8. 按照权利要求7所述晶片自动定位控制方法,其特征在于:晶片的定位精度由编码器的分辨率决定,计算公式如下:
Δ=360/P,其中:P为电机每一转编码器发出的脉冲个数;
Δ为分辨率,单位:角度。
9. 按照权利要求7所述晶片自动定位控制方法,其特征在于:在需要喷洒各种化学药品时,选用接近式传感器作为晶片位置检测器的检测元件。
10. 按照权利要求7所述晶片自动定位控制方法,其特征在于:在没有或不需要喷洒化学品时,采用光电传感器作为晶片位置检测器的检测元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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