[发明专利]制备SiC纤维/铝基复合材料的近熔态扩散工艺无效
申请号: | 200710012877.2 | 申请日: | 2007-09-19 |
公开(公告)号: | CN101392357A | 公开(公告)日: | 2009-03-25 |
发明(设计)人: | 冀鸰;王玉敏;石南林;杨锐 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C22C47/00 | 分类号: | C22C47/00;C22C101/14 |
代理公司: | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 | 代理人: | 樊南星 |
地址: | 110015辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 sic 纤维 复合材料 近熔态 扩散 工艺 | ||
技术领域:
本发明涉及材料科学,特别提供了制备SiC纤维/铝基复合材料的近熔 态扩散工艺。
背景技术:
化学气相沉积法(CVD)SiC纤维增强Al基复合材料与传统材料相比, 具有很高的比强度和比刚度,在航空航天等高技术领域中有广阔的应用前 景。目前制备这种复合材料最为成熟的方法是热模铸法(参见参考文献1: Mitt.,MA,眉山,国外导弹与航天运载器,1991;11,P65-71;参考文献2: 徐孝诚,航天出国考察技术报告,1992;2:204-215)和固态扩散法(参 见参考文献3:朱祖铭,郭延风,石南林,材料研究学报,2002;16(1): 59-66;参考文献4朱祖铭,石南林,金属学报,1996;32(9):998-1008;)。 热模铸法是在铝合金的液相温度区域采用低压成型。(CVD)SiC纤维具有 表面富碳涂层,这种涂层可使纤维长时间承受熔融铝的温度。根据文献报 道,石墨碳若长时间暴露在熔融铝中,会与铝产生反应生成脆性相Al4C3(参见参考文献5:A.Urena,J.Rams,M.D.Escalera,M.Sanchez,Compos Sci Technol,2005;65:2025-2038;参考文献6:M.Lancin,C.Marhic,J Eur Ceram Soc,2000;20:1493-1503),大量的Al4C3会破坏纤维表面连续性,增加界面 出现裂纹源的几率,同时高温条件下界面反应难以控制,纤维表面损伤严 重等问题都会使复合材料性能降低。固态扩散法是在较低的液相线温度下 施加压力,进行纤维和铝基体的扩散结合,形成复合材料体系。由于Al在 空气中极易与氧气反应生成一层致密的氧化膜。而且O在Al中的溶解度很 低,这层状氧化膜在真空热压条件下难以完全消除,而是以碎片的形式保 留下来,阻碍了基体之间的扩散结合。同时由于需要进行2个小时长时间 的扩散结合过程,过度的界面反应同样难以控制。
总之,制备SiCf/5A02铝合金基复合材料的固态热压法和热模铸法所产 生的界面有害反应难以控制,导致材料的性能受到很大限制。
因此,人们期望获得一种能解决以上技术难题的制备SiC纤维/铝基复 合材料的新工艺。
发明内容:
本发明的目的是提供一种能够较好的控制界面有害反应的制备SiC纤 维/铝基复合材料的近熔态扩散工艺。本发明以CVD法SiC纤维为增强体, 使用近熔态扩散新工艺制备了铝基复合材料。结果证明本发明具有明显优 于现有技术的更好的技术效果。
本发明制备SiC纤维/铝基复合材料的近熔态扩散工艺,其特征在于: 针对热模铸法和固态扩散法存在问题,并采取两种工艺的优点,提出了近 熔态扩散法新工艺制备CVD法SiC纤维/铝基复合材料;所述制备SiC纤维 /铝基复合材料的近熔态扩散工艺的具体过程如下:
先将SiC纤维和铝合金预制体在固态条件下加压,使SiC纤维和铝基 体充分接触;具体工艺参数范围是:500~620℃,10~60分钟,10~50MPa;
再将复合材料在Al合金的固-液线之间保温,使基体处于半熔融状态, 从而破坏了氧化膜的连续结构,也增加了铝基体的流动性;这给纤维和铝 基体的扩散结合创造了良好条件(参见参考文献7:牛济泰,王慕珍,材料 研究学报,2000;14(3):244-248);将复合材料在Al合金的固-液线之 间保温,使基体处于半熔融状态,具体工艺参数范围优选是:580~650℃, 2~60分钟,0~10MPa;
在优选内容中,为了消除反应产生的孔洞等缺陷,最后再次真空热压。 最后的真空热压过程对应的工艺参数范围是:500~620℃,10~60分钟, 10~50MPa。
优选内容中,本发明所述制备SiC纤维/铝基复合材料的近熔态扩散工 艺共需进行以下三个步骤,在各个步骤中的具体工艺参数为:
首先在固态条件下加压,使纤维和铝基体充分接触的具体工艺参数是: 550℃,20分钟,15MPa;然后再将复合材料在Al合金的固-液线之间保温, 使基体处于半熔融状态的具体工艺参数是:630℃,20分钟,0MPa;最后再 次真空热压以消除反应产生的缺陷;具体工艺参数是:550℃,20分钟, 15MPa。
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