[发明专利]浮法冶金熔融析出杂质提纯生产太阳能多晶带硅

权利要求书

1.一种浮法冶金融熔析出杂质提纯生产太阳能多晶带硅的方法，其特征在 于该工艺包括：浮法冷凝带硅生长、浮法熔融杂质提纯、多晶带硅再结晶等三个 方面。

2.根据权利要求1所述的太阳能多晶带硅的杂质提纯及生长方法，其特征 在于生长开始时元素硅高温熔解在母液当中，通过降低母液温度，使得硅析出后 浮于母液表面形成带硅。

3.根据权利要求1所述的太阳能多晶带硅的杂质提纯及生长方法，其特征 在于浮法析出带硅的母液在硅析出的过程中对硅材有杂质吸收提纯作用。

4.根据权利要求1所述的太阳能多晶带硅的杂质提纯及生长方法，其特征 在于得到的带硅，在惰性气体保护下采用激光退火、灯光退火、电子束退火、区 熔退火等再结晶实验手段进行处理，使晶粒长大均匀，减少内部缺陷，且过程仍 有杂质吸收提纯作用。