[发明专利]低频半导体器件的高频应用技术

权利要求书

1. 低频半导体器件的高频应用技术，其特征在于频率的计算方法与波阻的计算方法为f＝kf₀＝k/2π√Lc，ρ＝ρ_o/k′＝√L/c/k′，k及k′为经验系数，L、C为接口谐振电路的实际参数，改变L、C的数值即可改变频率f，波阻ρ的数值。

2. 低频半导体器件的高频应用技术在能源，感应加热，介质加热，高频焊接中的应用，其特征在于，由D₅、D₆、D₇、D₈组成第一个整流桥，D₁、D₂、D₃、D₄组成第二个整流桥，第一个整流桥的桥壁接口11与整流滤波(C)连接，输出接到振荡输出电路(F)的接口8，第一个整流桥、第二个整流桥的共同桥壁接口12与整流滤波(B)连接，输出给电感器接口5，由振荡输出电路(F)输出高频能量；

振荡输出电路(F)由接口5经电杆L₁连接到接口7，再由接口7连接到L₂的接口3端，电容C₀的一端接口8与外电路连接，另一端连接L₀到电杆器的接口7端；

放大吸收电路(D)由YG₂与C₂组成，接口4与接口10端与外电路连接，其中YG₂的电压为2nv；

放大吸收电路(E)由YG₁与C₂组成，接口9和接口6端与外电路连接，其中YG₁的电压为1nv；

由低频矩波逆变器(A)提供能量，输出给YG₁的1nv的电压，输出给YG₂的2nv的电压，整流滤波(C)由a、b端输出，整流滤波(B)由c、d端输出2nv的电压。

3. 低频半导体器件的高频应用技术在各种发射机大功率高频模块或集成电路中的应用，其特征在于，由D₅、D₆、D₇、D₈组成第一个整流桥，D₁、D₂、D₃、D₄组成第二个整流桥，第一个整流桥的的桥壁接口11与整流滤波电路(C)连接，输出接到振荡切换电路(F)的接口8，第一个整流桥、第二个整流桥共同桥壁接口12与整流滤波(B)连接到接口7，由振荡切换电路(F)输出射频功率；

其中第一个整流桥内的接口10、3连接的是放大吸收隔离(D)，由D₀₂连接YG₂、C₂，由接口10连接外电路，YG₂的电压为2nv；

第二个整流桥内的接口5、9连接的是放大吸收隔离(E)，由D₀₁连接YG₁、C₁，由接口9连接外电路，YG₁的电压为1nv；

第一个整流桥内的调幅电感变压器(B_T)和第二个整流桥内的调幅电感变压器(B_T)是一个变压器，接口4为正极，接口3为负极，接口6为正极，接口5为负极，通过磁心到初级TFsr；

接口8连接振荡切换电路(F)，其中C_o连接电杆L，C₀并通过k₁到k_n，并连C₁到C_n，由输出电路Q、P的P端连接电容切换电路，k₁到k_n，C₁到C_n，并由Q、P端输出射频功率；

由低频矩波逆变器(A)提供能量，输出给YG₁的1nv的电压，输出给YG₂的2nv的电压，整流滤波(C)由a、b输出，整流滤波(B)由c、d输出2nv的电压。