[发明专利]单晶硅拉制炉用炭/炭保温罩的制备方法

权利要求书

1、一种单晶硅拉制炉用炭/炭保温罩的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：

(1)采用炭纤维无纬布与薄炭纤维网胎交替环向缠绕径向针刺全炭纤维准三向结构预制体；

(2)采用糠酮树脂浸渍炭化致密预制体，在抽真空条件下在浸渍罐中浸渍3小时后出罐，再转入炭化炉进行炭化处理，反复致密2-4次；

(3)保温罩预制体制品密度≥1.20g/cm³时致密工艺结束，在通入氯气和氟利昂的条件下对保温罩预制体制品进行高温纯化处理，所述高温纯化处理温度为2000～2500℃；

(4)机械加工后即制得单晶硅拉制炉用炭/炭保温罩。

2、根据权利要求1所述的单晶硅拉制炉用炭/炭保温罩的制备方法，其特征在于所述步骤(1)中采用12K炭纤维无纬布环向缠绕径向针刺结构预制体，采用径向针刺，防止制造过程中的分层和开裂，预制体体积密度在0.25～0.35g/cm³，K代表丝束千根数。

3、根据权利要求1所述的单晶硅拉制炉用炭/炭保温罩的制备方法，其特征在于所述步骤(2)中的炭化温度为800-1100℃。

4、根据权利要求1所述的单晶硅拉制炉用炭/炭保温罩的制备方法，其特征在于所述步骤(4)中机械加工后即制得单晶硅拉制炉用炭/炭保温罩的直径为500～1100mm，高度为200～1500mm，厚度为20～100mm。

5、根据权利要求1所述的单晶硅拉制炉用炭/炭保温罩的制备方法，其特征在于所述步骤(2)中的真空压力为-0.094～-0.098Mpa。