[发明专利]一种252kV单断口真空灭弧室有效

专利信息
申请号: 200710018001.9 申请日: 2007-06-05
公开(公告)号: CN101060044A 公开(公告)日: 2007-10-24
发明(设计)人: 刘志远;王建华;王季梅;耿英三;姚建军;郑跃胜 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H01H33/664 分类号: H01H33/664
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 代理人: 李郑建
地址: 710049*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 252 kv 断口 真空 灭弧室
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种高压真空断路器,特别涉及一种单断口额定电压为252kV的高压真空灭弧室。

背景技术

当前在72.5kV及以上的高压和超高压断路器中SF6断路器为主流产品。SF6气体是《京都议定书》指定的六种温室效应气体中最强的一种,其地球温暖化系数是CO2的23900倍,其大气中寿命长达3200年。真空断路器具有环境友好,产品可靠性高,维护工作量小,无火灾爆炸危险,产品技术性能高等优点,目前在中压等级是主流产品。世界上单断口真空断路器的额定电压最高为145kV。发展高压真空断路器是减少SF6排放的一种很好的选择。

发明内容

本发明的目的在于,提出一种单断口电压等级252kV的高压真空灭弧室,可配用于252kV单断口真空断路器中。

为了实现上述任务。本发明采取如下的技术解决方案:

一种252kV单断口真空灭弧室,其特征在于,包括依次连接的第一外壳,第二外壳,第三外壳,第四外壳,每个外壳的直径在180mm到280mm之间;第一外壳和第四外壳分别连接有第一端盖和第二端盖,第一端盖与第二端盖之间的距离为800mm到1500mm之间;在第一端盖和第二端盖上分别设有第一端部屏蔽罩和第二端部屏蔽罩;在第二外壳和第三外壳之间设有第一屏蔽罩,在第一外壳和第二外壳之间设有第二屏蔽罩,在第三外壳和第四外壳之间设有第三屏蔽罩;

在第一端盖上连接静导电杆,在第二端盖上连接动导电杆;在静导电杆上连接静触头,在动导电杆上连接动触头,静触头与动触头之间的距离在60mm到120mm之间;

静导电杆与第一端盖之间通过第一波纹管连接,动导电杆与第二端盖6之间通过第二波纹管连接;

在静触头和动触头的背面分别设有第一均压环、第二均压环。

经验证实验,本发明可配用于252kV单断口真空断路器中。

附图说明

图1为252kV超高压真空灭弧室图;图中各符号为:1、第一真空灭弧室外壳,2、第二真空灭弧室外壳,3、第三真空灭弧室外壳,4、第四真空灭弧室外壳,5、第一端盖,6、第二端盖,7、第一端部屏蔽罩,8、第二端部屏蔽罩,9、第一屏蔽罩,10、第二屏蔽罩,11、第三屏蔽罩,12、静导电杆,13、动导电杆,14、静触头,15、动触头,16、第一波纹管,17、第二波纹管,18、第一均压环,19、第二均压环。

图2为三分之二匝纵向磁场触头图;图中符号为:21、圆柱形导体,22、支臂,23、上弧形导体,24、下弧形导体,25、触头片,26、27、28、29、缝隙。

图3为单匝式纵向磁场触头;图中符号为:31、导电杆,32、线圈,33、触头片,34、触头片,35、线圈,36、导电杆。

图4为252kV单断口真空灭弧室电场分布图。

图5为采用三分之二匝式纵向磁场触头时的纵向磁场分布图,电流有效值为1000A,触头中心平面上,电流峰值时。

图6为采用单匝式纵向磁场触头时的纵向磁场分布图,电流有效值为1000A,电流峰值时,其中(a)为触头开距中心平面,(b)为触头表面。

以下结合附图和发明人给出的实施例对本发明作进一步的详细描述。

具体实施方式

如图1所示,本发明的252kV超高压真空灭弧室由4个玻璃或陶瓷构成第一真空灭弧室外壳1、第二真空灭弧室外壳2、第三真空灭弧室外壳3、第四真空灭弧室外壳4,每个外壳的直径在180mm到280mm之间;第一端盖5和第二端盖6分别与第一真空灭弧室外壳1和第四真空灭弧室外壳4封接在一起,第一端盖5与第二端盖6之间的距离在800mm到1500mm之间;在第一端盖5和第二端盖6上分别设有第一端部屏蔽罩7和第二端部屏蔽罩8;在第二真空灭弧室外壳2和第三真空灭弧室外壳3之间设有第一屏蔽罩9,在第一真空灭弧室外壳1和第二真空灭弧室外壳2之间设有第二屏蔽罩10,在第三真空灭弧室外壳3和第四真空灭弧室外壳4之间设有第三屏蔽罩11;在第一端盖5上连接静导电杆12,在第二端盖6上连接动导电杆13;在静导电杆12上连接静触头14,在动导电杆13上连接动触头15,静触头14与动触头15之间的开距范围在60mm到120mm之间;静导电杆12与第一端盖5之间通过第一波纹管16连接,动导电杆13与第二端盖6之间通过第二波纹管17连接;在静触头14和动触头15的背面分别设有第一均压环18和第二均压环19。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710018001.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top