[发明专利]超低热膨胀铝碳化硅电子封装基板或外壳材料复合物及制备产品的方法

权利要求书

1、一种超低热膨胀铝碳化硅电子封装基板或外壳材料复合物，其特征在于按质量比：由绿碳化硅粗粉48～55％，绿碳化硅微粉20～25％，金属硅元素5～10％，金属铝元素15～19％，金属镁元素0.5～3.0％组成，所述绿碳化硅粗粉的粒径范围为D₅₀≥150μm，所述绿碳化硅微粉的粒径范围为D₅₀≤15μm。

2、根据权利要求1所述的超低热膨胀铝碳化硅电子封装基板和外壳材料组合物，其特征在于按质量比：由绿碳化硅粗粉50～52％，绿碳化硅微粉23～25％，金属硅元素7～8％，金属铝元素16～18％，金属镁元素1.0～1.5％组成，所述绿碳化硅粗粉的粒径范围为D₅₀≥150μm，所述绿碳化硅微粉的粒径范围为D₅₀≤15μm。

3、一种权利要求1、2所述的超低热膨胀铝碳化硅电子封装基板或外壳材料复合物制备产品的方法，按下述步骤进行：

a、按配比要求准确称量碳化硅粗粉和碳化硅微粉，倒入球磨机中干混8小时；

b、采用凝胶注模、热压铸、流延或干压法成型，经干燥和高温烧结后制出多孔碳化硅预制型，烧结温度不超过1300℃；

c、按配比将金属铝、金属硅和金属镁熔化成合金，在压力或无压下使液态合金浸渗入多孔碳化硅预制型，凝固后形成超低热膨胀铝碳化硅电子封装基板和外壳，压力不大于30MPa，无压时需要氮气保护；

d、依据图纸要求，可加工成不同形状及尺寸的封装基板和外壳，无须加工或少量加工后即可成为产品，其产品在20℃～150℃的热膨胀系数为：5～7×10^-6/K。