[发明专利]无反射高出光率单元WLED功率扩容式大功率WLED光源有效
| 申请号： | 200710018705.6 | 申请日： | 2007-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN101173758A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 胡家培;胡民海 | 申请（专利权）人： | 胡家培;胡民海 |
| 主分类号： | F21V29/00 | 分类号： | F21V29/00;F21V19/00;F21V15/02;F21V5/04;H05B33/00;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 西安文盛专利代理有限公司 | 代理人： | 李中群 |
| 地址： | 710065陕西省西安市电子*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反射 高出光率 单元 wled 功率 扩容 大功率 光源 | ||
【权利要求书】：
1.一种无反射高出光率单元WLED功率扩容式大功率WLED光源，其特征在于具有一块厚度为H1的散热基板(1)，在散热基板(1)上焊接有多个按行列式灯阵排布组成的芯片发光宽度为2w的BLED芯片(2)，在各芯片(2)上面分别涂一层硅胶质荧光粉(3)，形成白光WLED发光体，芯片(2)厚度+荧光粉(3)厚度为h，在散热基板(1)上各发光体外用高透光率、高强度工业塑料PC按H＝R-0.577w-0.33h的关系式分别罩设一个壁厚为0.2mm且透光率为n1＝1.40的薄型等厚半球状外壳(5)，式中H为半球状外壳(5)的高度，R为半球状外壳(5)的半径，R＝H+H1，在半球状外壳(5)与发光体和基板(1)围成的空间内采用和PC相同透光率的高透明硅凝胶填充到PC外壳中形成硅胶半球透镜(4)，由此组成无反射高出光率单元WLED光源，进而由各个单元WLED光源组合扩容成为大功率WLED光源。
2.根据权利要求1所述的无反射高出光率单元WLED功率扩容式大功率WLED光源，其特征在于相邻透镜(4)间的距离L≥R/sinθ，式中θ＜30°。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胡家培;胡民海，未经胡家培;胡民海许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710018705.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
