[发明专利]复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及制造方法有效
| 申请号： | 200710019669.5 | 申请日： | 2007-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN101009326A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 李忠辉;陈辰;董逊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 | 代理人： | 徐冬涛;瞿网兰 |
| 地址： | 210016江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合 隔离 氮化物 电子 迁移率 晶体管 外延 结构 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
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