[发明专利]类金刚石材料场电子发射阴极及制备方法无效
| 申请号： | 200710021318.8 | 申请日： | 2007-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN101060047A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 宋凤麒;韩民;张璐;步海军;周丰;万建国;周剑峰;王广厚 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J29/04;H01J9/02 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汤志武;王鹏翔 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金刚 石材 料场 电子 发射 阴极 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、类金刚石材料场电子发射阴极制备方法，类金刚石材料电子发射阴极是由类金刚石材料团簇束流沉积在基底结构上构成高密度发射体109个/cm2和场电子发射阴极；其特征是利用团簇束流在基底上沉积高密度纳米针尖发射体从而实现高场发射电流和低发射阈值，在高真空室中，背景真空度优于10-4Pa，充气后真空降到100-1000Pa，利用Ar或He气体碰撞射频磁控溅射产生的类金刚石材料蒸气产生纳米颗粒，并产生定向束流将其引到衬底，改变束流强度和沉积时间来实现高空间密度发射体制备；束流的调节方法是：调节靶室中的Ar、He气体流量101-102sccm和分压1∶1～5∶1，射频输入净功率在300-400W用于调节最终工作体束流的尺寸组分；调节溅射靶材到小孔的距离＞10cm调节纳米颗粒以及最终发射体的大小；调节引出束流的大小1A/min～10A/min和沉积的时间30min～1000min用于调节发射体的空间密度；所述高密度纳米针尖发射体阴极的尺寸和密度调节方法是：调节发射体阴极产生气氛中的Ar/He流量和分压比，Ar流量固定在50sccm且保持100-200Pa的气压，He流量在10sccm到300sccm之间调整实现束流调节；调节溅射蒸气从产生到被抽出漂移的距离范围10-12cm。
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