[发明专利]绝缘导热金属基板的制造方法无效
| 申请号： | 200710022104.2 | 申请日： | 2007-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101298660A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 吴政道;胡振宇;郭雪梅 | 申请（专利权）人： | 汉达精密电子（昆山）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/54;C23C14/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215300*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 导热 金属 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种绝缘导热金属基板的制造方法，其特征在于该方法包括下列步骤：
(1)提供一铝合金基材；
(2)对该铝合金基材进行前处理，使表面清洁；
(3)将该铝合金基材置入真空腔抽真空；
(4)向真空腔中通入氩气，启动基板负偏压，并启动溅镀靶材铝，进行离子冲击并植入铝；
(5)调整溅射靶电流密度与基板偏压，之后通入氮气，生成氮化铝薄膜。
2、如权利要求1所述的绝缘导热金属基板的制造方法，其特征在于：对该铝合金基材进行前处理的过程包括脱脂，酸洗，清洗步骤。
3、如权利要求1或2所述的绝缘导热金属基板的制造方法，其特征在于：在步骤4中，向该真空腔中通入氩气后其压强维持在1～3×10-3Torr，基板负偏压在-300～-600V，控制溅镀靶材的电流密度在0.1～1W/cm2，进行离子冲击并植入铝的时间约为3～10分钟。
4、如权利要求3所述的绝缘导热金属基板的制造方法，其特征在于：在步骤5中，溅射靶电流密度逐步调整至5～15W/cm2，基板偏压同步逐渐调整至20～60V，时间为1～3分钟后通入氮气，氮气分压维持在1～3×10-3Torr。
5、如权利要求4所述的绝缘导热金属基板的制造方法，其特征在于：该氮化铝薄膜的厚度为3～5微米。
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