[发明专利]抑制衬底涡流效应的微电子机械电感及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200710022360.1 申请日: 2007-05-15
公开(公告)号: CN101060027A 公开(公告)日: 2007-10-24
发明(设计)人: 廖小平;武锐 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01F17/00 分类号: H01F17/00;H01F41/00;H01P3/00;H01L27/00;H01L21/70
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人: 叶连生
地址: 21009*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 抑制 衬底 涡流 效应 微电子 机械 电感 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种抑制衬底涡流效应的微电子机械电感,其特征在于该电感以GaAs衬底(1)为衬底,在GaAs衬底(1)的上表面有一层AlGaAs薄膜(2),在AlGaAs薄膜(2)的上表面有一层SiN介质层(3),电感的上层线圈(5)悬空在SiN介质层(3)的上方,电感的上层线圈(5)的中心通过AlGaAs薄膜(2)上的电感下层引线(4)与第二共面波导信号线(62)连接,电感的上层线圈(5)的外边缘连接第一共面波导信号线(61);接地屏障(7)为插指形状连接在第一共面波导地线(81)和第二共面波导地线(82)上的内侧,并位于电感上层线圈(5)与AlGaAs薄膜(2)之间;第一共面波导信号线(61)、第二共面波导信号线(62)和第一共面波导地线(81)、第二共面波导地线(82)共同构成共面波导传输线。

2.一种如权利要求1所述的抑制衬底涡流效应的微电子机械电感的制备方法,其特征在于该方法具体包括以下步骤:

第一步.准备衬底,选用未掺杂的半绝缘砷化镓作为GaAs衬底(1);

第二步.在GaAs衬底(1)外延生长AlGaAs薄膜(2):AlGaAs作为腐蚀自停止层,并将铝镓砷(AlGaAs)自停止层进行半绝缘化处理;

第三步.在AlGaAs薄膜(2)上涂光刻胶(9)并光刻共面波导传输线、接地屏障及下层引线:光刻刻蚀出共面波导传输线、电感下层引线(4)和与地线连接的接地屏障(7);

第四步.在整个表面上第一次溅射Ti/Au/Ti层(10),形成用于电镀的底金种子层;

第五步.第一次光刻Ti/Au/Ti层,保留不需要电镀的地方的光刻胶(9);

第六步.在除了保留有光刻胶的不需要电镀的地方外的整个表面上第一次电镀Au层(11);

第七步.反刻Au层(11),腐蚀底金种子层,光刻形成共面波导传输线,电感下层引线(4)和接地屏障(7);

第八步.在整个表面上淀积SiN介质层(3)后光刻:用PECVD工艺生长SiN介质层并光刻;

第九步.在SiN介质层(3)上淀积聚酰亚胺牺牲层(12);

第十步.第二次溅射Ti/Au/Ti层(10):在聚酰亚胺层(12)上溅射用于电镀的底金Ti/Au/Ti层(10),形成用于电镀电感线圈的底金种子层;

第十一步.第二次光刻Ti/Au/Ti层(10),保留不需要电镀的地方的光刻胶;

第十二步.在除了保留有光刻胶的不需要电镀的地方外的整个表面上第二次电镀Au层(11):在55℃氰基溶液中电镀金;

第十三步.释放聚酰亚胺牺牲层(12):丙酮去除残留的光刻胶,然后用显影液融解电感线圈下的聚酰亚胺牺牲层,并用无水乙醇脱水,至此步骤电感线圈悬空;

第十四步.背面刻蚀GaAs衬底(1)至AlGaAs薄膜(2)。

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