[发明专利]异氰酸酯基烷氧基硅烷的制备方法有效
| 申请号： | 200710022617.3 | 申请日： | 2007-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101307067A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 陶荣辉;徐晓强;陈剑;赵世勇;李霞;方剑慧 | 申请（专利权）人： | 张家港市国泰华荣化工新材料有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/18 | 分类号： | C07F7/18 |
| 代理公司： | 张家港市高松专利事务所 | 代理人： | 黄春松 |
| 地址： | 215631江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氰酸 酯基烷氧基 硅烷 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.异氰酸酯基烷氧基硅烷的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
（1）以氨基甲酸酯基烷氧基硅烷为原料，将氨基甲酸酯基烷氧基硅烷的pH值调到4—5；所述的调pH值时使用低沸点化合物SiCl4或SnCl4；
（2）常压热裂解经过步骤（1）处理后的氨基甲酸酯基烷氧基硅烷，得到含有异氰酸酯基烷氧基硅烷的混合物；
（3）再对步骤（2）得到的混合物进行蒸馏并收集馏分，得到异氰酸酯基烷氧基硅烷。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的氨基甲酸酯基烷氧基硅烷选自
CH3OCONHCH2CH2CH2Si(OCH3)3
CH3OCONHCH2CH2CH2CH3Si(OCH3)2
CH3CH2OCONHCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)3
CH3CH2OCONHCH2CH2CH2CH3Si(OCH2CH3)2
中的任意一种。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：热裂解温度为 3000C~5000C。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：热裂解温度最优为3500C~4500C。
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