[发明专利]高频低损耗低温共烧陶瓷生料带及其制备方法

权利要求书

1、高频低损耗低温共烧陶瓷生料带，其特征在于其原料组份和各组份占原料总量的重量百分比分别为：无机玻璃陶瓷料40～60％，有机流延体系30～70％；其中无机玻璃陶瓷料由钙硅硼系玻璃陶瓷、硼硅酸盐系玻璃陶瓷和成核剂组成，其中钙硅硼系玻璃陶瓷占无机玻璃陶瓷料总重量的46～90％、硼硅酸盐系玻璃陶瓷占无机玻璃陶瓷料总重量的6～50％，成核剂占无机玻璃陶瓷料总重量的0.5～5％。

2、根据权利要求1所述的生料带，其特征在于所述的钙硅硼系玻璃陶瓷的各组份和各组份占钙硅硼系玻璃陶瓷总量的重量百分比分别为：CaO 30～50％，SiO₂ 30～55％，B₂O₃ 10～30％；所述的硼硅酸盐系玻璃陶瓷的各组份和各组份占硼硅酸盐系玻璃陶瓷总量的重量百分比SiO₂ 65～75％，B₂O₃ 20～30％，Na₂O0.5～3％，K₂O 0.5～3％，Li₂O 0.5～3％；所述的成核剂为ZrO₂和/或TiO₂。

3、根据权利要求1所述的生料带，其特征在于所述的有机流延体系由溶剂、分散剂、粘结剂、增塑剂和除泡剂组成，各组分占机流延体系总量的重量百分比分别为：溶剂75～85％，分散剂1～5％，粘结剂3～10％，增塑剂1～5％，除泡剂2～6％。

4、根据权利要求3所述的生料带，其特征在于所述的溶剂为二甲苯、乙醇和异丙醇，分散剂为蓖麻油，粘结剂为聚乙烯醇缩丁醛，增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯，除泡剂为正丁醇和/或乙二醇；其中溶剂中各成分占溶剂总量的重量百分比分别为：二甲苯10～30％，乙醇30～50％，异丙醇30～50％。

5、一种如权利要求1或2所述的高频低损耗低温共烧陶瓷生料带的制备方法，其制备的具体步骤如下：

A.分别按钙硅硼系玻璃陶瓷配方称取CaO、SiO₂、B₂O₃，按硼硅酸盐系玻璃陶瓷配方称取SiO₂、B₂O₃、Na₂O、K₂O和Li₂O，混合4～8h；

B.分别在铂金坩锅内于1350～1500℃下保温1～2h使其完全熔融和均匀化，倒入蒸馏水中得到透明碎玻璃；

C.分别将所得到的碎玻璃经湿法球磨得到平均粒径为0.5～2μm的钙硅硼系玻璃陶瓷、硼硅酸盐系玻璃陶瓷粉末；

D.按配比称取上述所制得的钙硅硼系玻璃陶瓷和硼硅酸盐系玻璃陶瓷，再加入成核剂，加入溶剂和分散剂球磨后，加入粘结剂和增塑剂球磨，再加入除泡剂球磨，经真空除泡后流延成型，干燥后得到LTCC生料带。

6、根据权利要求5所述的方法，其特征在于加入溶剂和分散剂球磨3～6h，加入粘结剂和增塑剂球磨3～6h，再加入除泡剂球磨2～4h，干燥温度为25℃，干燥时间为6～10h。