[发明专利](SiH3)2Fe(CO)4的合成方法及其应用无效
申请号: | 200710024630.2 | 申请日: | 2007-06-26 |
公开(公告)号: | CN101182334A | 公开(公告)日: | 2008-05-21 |
发明(设计)人: | 沈应中;张义颖;林明灯;沈鸿烈;陶弦;王宁 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
主分类号: | C07F15/02 | 分类号: | C07F15/02;C01G49/12 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所 | 代理人: | 阙如生 |
地址: | 210016*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | sih sub fe co 合成 方法 及其 应用 | ||
一、技术领域:
本发明涉及金属有机配合物的合成方法,具体地说是涉及(SiH3)2Fe(CO)4合成方法及其在制备FeSi2薄膜材料方面的应用。
二、背景技术(现有技术):
对于产品:(SiH3)2Fe(CO)4文献上已有报道(B.J.Aylett,J.M.Campbell,and A.Walton,J.Chem.Soc.(A),1969 2110-2113)
方程如下:
2H3SiI+Na2Fe(CO)4→(SiH3)2Fe(CO)4+2NaI
将H3SiI与丁烷的混和气通入到Na2Fe(CO)4中,然后缓慢升至室温反应十分钟后得到产品(SiH3)2Fe(CO)4与NaI的混和物升华后得到产品(SiH3)2Fe(CO)4,该反应的缺点是所用的原料为气体很难操作,而且H3SiI很难买到,价格比较昂贵。本发明所用的原料易得,价格便宜,合成工艺相对简单。
对于方法:目前合成这些配合物一般要在无水无氧条件下进行。
对于应用:用该化合物作为前驱体可以在较温和的条件下制备FeSi2薄膜。
三、发明目的:
1、发明的目的:本发明的目的是提供一种新的合成方法来合成(SiH3)2Fe(CO)4,及其在制备FeSi2薄膜材料方面的应用。
2、技术方案:
本发明的配合物用下述通式表示:
一种合成金属有机配合物(SiH3)2Fe(CO)4的方法,其特征在于合成步骤如下:(1)首先将Fe2(CO)9或者Fe3(CO)12与HSiCl3在密闭的体系下在50-150℃下反应,得到(SiCl3)2Fe(CO)4。
(2)然后将得到的(SiCl3)2Fe(CO)4在氮气保护下打开,在溶剂中用还原剂将其还原,抽干溶剂后在高真空度下升华得到本发明产物白色固体。
其化学反应式如下:
或
上述合成(SiH3)2Fe(CO)4配合物的方法,其特征在于在步骤(1)中在氮气保护下的密闭体系中反应24-96小时。
上述合成(SiH3)2Fe(CO)4配合物的方法,其特征在在步骤(2)中所述的溶剂为正己烷、四氢呋喃或乙醚中的一种。
上述合成(SiH3)2Fe(CO)4配合物的方法,其特征在于在步骤(2)中所述的还原剂为LiBH4、LiAlH4、NaH、NaBH4、LiH或四氢硼酸铝[Al(BH4)3]中的一种。
上述合成(SiH3)2Fe(CO)4配合物的方法,其特征在于在步骤(2)中所述的升华是在高真空度2.5mmHg,25℃下升华得到白色固体产物。
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