[发明专利]选择性发射结晶体硅太阳电池的制备方法无效
| 申请号： | 200710025032.7 | 申请日： | 2007-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101101936A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 赵建华;王艾华;高鹏;王继磊;姚文杰;连维飞 | 申请（专利权）人： | 中电电气（南京）光伏有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 | 代理人： | 程化铭 |
| 地址： | 211100江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 选择性 发射 结晶体 太阳电池 制备 方法 | ||
1、一种选择性发射结晶体硅太阳电池的制备方法，包括高浓度掺杂扩散，其特征在于：在晶体硅片的二氧化硅层上采用印刷工艺印刷腐蚀剂，腐蚀形成电极窗口，然后，在电极窗口区域在POCl3气氛中进行高浓度掺杂扩散。
2、根据权利要求1所述的选择性发射结晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是：所述在晶体硅片的二氧化硅层上采用印刷工艺印刷腐蚀剂，腐蚀形成电极窗口的工艺步骤为：
a)将腐蚀剂印刷到带有二氧化硅层的硅片表面需要制作电极的区域；
b)待腐蚀剂将需制作电极的硅片表面二氧化硅层充分腐蚀掉后对硅片进行清洗，去除腐蚀剂；
所述腐蚀剂为：浓度为10％～25％氟化氢铵。
3、一种选择性发射结晶体硅太阳电池的制备方法，包括高浓度掺杂扩散步骤和低浓度掺杂扩散，其特征在于：将晶体硅片在POCl3气氛中进行低浓度扩散，然后在扩散后的晶体硅片表面热氧化生长二氧化硅层，再在二氧化硅层上采用印刷工艺印刷腐蚀剂，腐蚀形成电极窗口，在电极窗口区域在POCl3气氛中进行高浓度掺杂扩散。
4、根据权利要求3所述的选择性发射结晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是：所述在晶体硅片的二氧化硅层上采用印刷工艺印刷腐蚀剂，腐蚀形成电极窗口的工艺步骤为：
a)将腐蚀剂印刷到带有二氧化硅层的硅片表面需要制作电极的区域；
b)待腐蚀剂将需制作电极的硅片表面二氧化硅层充分腐蚀掉后对硅片进行清洗，去除腐蚀剂；
所述腐蚀剂为：浓度为10％～25％氟化氢铵。
5、一种选择性发射结晶体硅太阳电池的制备方法，包括高浓度掺杂扩散步骤和低浓度掺杂扩散，其特征在于：在晶体硅片表面热氧化生长二氧化硅层，二氧化硅层的厚度为3nm～10nm；在晶体硅片的二氧化硅层上采用印刷工艺印刷腐蚀剂，腐蚀形成电极窗口，然后，对晶体硅片在POCl3气氛中进行掺杂扩散，在电极窗口区域形成高浓度掺杂扩散，在晶体硅片的其它区域形成的浓度掺杂扩散。
6、根据权利要求5所述的选择性发射结晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是：所述在晶体硅片的二氧化硅层上采用印刷工艺印刷腐蚀剂，腐蚀形成电极窗口的工艺步骤为：
a)将腐蚀剂印刷到带有二氧化硅层的硅片表面需要制作电极的区域；
b)待腐蚀剂将需制作电极的硅片表面二氧化硅层充分腐蚀掉后对硅片进行清洗，去除腐蚀剂；
所述腐蚀剂为：浓度为10％～25％氟化氢铵。
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