[发明专利]浅结二极管芯片的制作方法

权利要求书

1.一种浅结二极管芯片的制作方法，其特征在于：

(1)、氧化、光刻有源区：将抛光硅片进行清洁处理后进行氧化形成氧化层，在硅片的一面或双面经光刻、腐蚀形成有源区窗口；

(2)、离子注入：用离子注入机将砷原子或磷原子注入到有源区窗口，注入能量为：30～80kev，注入剂量1～5E15；

(3)、多晶硅淀积：在硅片表面淀积多晶硅层，淀积厚度控制在4000±500；

(4)、离子注入退火及磷扩散：将硅片推入800℃～950℃的磷扩散炉内进行磷扩散，同时进行离子注入退火，时间控制在10～30min；

(5)、光刻多晶硅：经光刻、腐蚀把有源区窗口以外的多晶硅层刻干净；

(6)、金属膜淀积：对硅片溅射或蒸发金属膜；

(7)、光刻有源区：光刻、腐蚀掉有源区以外的金属膜；

(8)、合金：在真空或在氮气或/和氢气的条件下进行合金，合金温度控制在400℃～500℃，时间在25～35min，制成二极管芯片。

2.根据权利要求1所述的浅结二极管芯片的制作方法，其特征在于：所述第一次氧化层的厚度在2000～4000。

3.根据权利要求1所述的浅结二极管芯片的制作方法，其特征在于：所述的金属膜为钛和镍和银；或钒和镍和银；或铬和镍和银；或钛和银；或金；或镍。