[发明专利]基于非晶固体电解质薄膜(AgI)x(AgPO3)1-x及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200710025371.5 申请日: 2007-07-26
公开(公告)号: CN101222019A 公开(公告)日: 2008-07-16
发明(设计)人: 殷江;国洪轩;尹奎波;陈亮;刘治国 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;C23C14/28;G11C11/56
代理公司: 南京苏高专利商标事务所 代理人: 阙如生
地址: 210093*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 基于 固体 电解质 薄膜 agi sub agpo 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种基于非晶固体电解质薄膜银碘磷氧,其特征在于组成该薄膜的化学式为(AgI)x(AgPO3)1-x,其中,该薄膜在室温下为非晶态,0≤x≤0.7。

2.一种制备权利要求1所述的非晶固体电解质(AgI)x(AgPO3)1-x薄膜材料的脉冲激光沉积方法,其制备步骤如下:

a)(AgI)x(AgPO3)1-x玻璃靶材4是用AgI、AgNO3、(NH4)2HPO4粉末熔炼制备的;在450℃~600℃熔化以上粉末的化学配比(mol% AgI∶mol%AgNO3∶mol%(NH4)2HPO4=x∶1-x∶1-x)混合物;将熔液浇至铜模中,冷却凝固后制成(AgI)x(AgPO3)1-x玻璃靶材4;

b)将(AgI)x(AgPO3)1-x玻璃靶材4固定在脉冲激光沉积制膜系统(如图2所示)的靶台5上,衬底1固定在衬底台8上,他们都放置在脉冲激光沉积制膜系统的生长室6中;

c)用真空泵通过机械泵和分子泵的接口阀7将生长室6抽真空到1.0×10-3Pa以下;

d)启动KrF准分子激光器2,使激光束通过聚焦透镜3聚焦在(AgI)x(AgPO3)1-x玻璃靶材4上;

e)根据单脉冲能量,确定沉积时间,在衬底1上沉积厚度为30nm~2000nm厚的非晶固体电解质薄膜。

3.如权利要求1所述的非晶固体电解质薄膜在制备非挥发相变记忆元件中应用。

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