[发明专利]新型抗反射导电膜

权利要求书

1. 新型抗反射导电膜，其特征在于所述抗反射导电膜附着在透明基材(S)上，所述抗反射导电膜是至少包含有高折射率层(H)、低折射率层(L)和透明导电膜(T)，所述高折射率层(H)指波长在530nm-570nm时，折射率指数在2.1-2.4的膜层材料，所述低折射率层(L)指波长在530nm-570nm时，折射率指数在1.4-1.5膜层材料，所述透明导电膜(T)指波长在530nm-570nm时，折射率指数在1.85-1.95具有弱吸收的膜层材料，而且所述抗反射导电膜的结构是以下三种膜结构中的一种：

第一种膜结构的特征在于：在透明基材(S)的两面由靠近透明基材(S)向外依次为高折射率层(H)，低折射率层(L)，其中一面的最外层为透明导电膜(T)；高折射率层(H)的厚度在5nm至30nm之间，低折射率层(L)的厚度在60nm至120nm之间，透明导电膜(T)的厚度在5nm至40nm之间，这种排列形式的膜结构记录为L/H/S/H/L/T型；

第二种膜结构的特征在于：在透明基材(S)的两面由靠近透明基材(S)向外依次为高折射率层(H)，低折射率层(L)，高折射率层(H)，低折射率层(L)，且在透明基材(S)的一面的最外层为透明导电膜(T)，这种排列形式的膜结构记录为(L/H)²/S/(H/L)²/T型；组成这种9层复合膜的各膜层的厚度具有以下特征：

第三种膜的排列结构中还包含中折射率层(M)，所述的中折射率层(M)是指波长在530nm-570nm时，折射率指数在1.6-1.7的膜层材料。第三种膜结构的特征在于：在透明基材(S)的两面由靠近透明基材(S)向外依次为高折射率层(H)，中折射率层(M)，低折射率层(L)，其中一面的最外层为透明导电膜(T)；高折射率层(H)的厚度在5nm至30nm之间，低折射率层(L)的厚度在60nm至120nm之间，中折射率层(M)的厚度在5nm至40nm之间，透明导电膜(T)的厚度在5nm至40nm之间，这种排列形式的膜结构记录为L/M/H/S/H/M/L/T型。

2. 根据权利要求1所述抗反射导电膜，其特征在于所述透明基材(S)为玻璃或光学塑料，特别是光学玻璃，或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、或聚碳酸酯(PC)、或聚对苯二甲酸乙醇酯(PET)，在波长380nm-780nm范围内为透明，其折射率要求为1.40-1.70。

3. 根据权利要求1所述抗反射导电膜，其特征在于所述高折射率层(H)在波长380nm-780nm范围内透明无吸收，其材料是二氧化钛(TiO₂)、或五氧化二钽(Ta₂O₅)、或五氧化二铌(Nb₂O₅)、或铌钽(NbTa)混合镀膜后形成的氧化物、或者钛铌(TiNb)混合后镀膜形成的氧化物。

4. 根据权利要求1所述抗反射导电膜，其特征在于所述低折射率层(L)在波长380nm-780nm范围内透明无吸收，其材料可以为氧化硅(SiO₂)、硅铝(SiAl)混合后镀膜形成的氧化物。

5. 根据权利要求1所述抗反射导电膜膜，其特征在于所述中折射率层(M)其在波长380nm-780nm范围内透明无吸收，其材料为氧化铝(Al₂O₃)、或铌硅(NbSi)混合镀膜后形成的氧化物。

6. 根据权利要求1所述抗反射导电膜，其特征在于透明导电膜(T)是下列氧化物中的一种或者是它们之间的混合物，所述氧化物是指：氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、掺氟氧化锡(SnO₂:F)、掺砷氧化锡(SnO₂:Sb)、掺铝氧化锌(ZnO:Al)、氧化铟锌(In₂O₃:ZnO)、氧化锡锌(SnO₂:ZnO)以及氧化铟镁(In₂O₃:MgO)。

7. 根据权利要求1所述抗反射导电膜，其特征在于所述抗反射导电膜是采用批次生产或者连续式生产的蒸发镀膜或者溅射镀膜系统制造的多层膜结构的复合膜。