[发明专利]一种GaN基量子阱LED外延片及制备方法无效
| 申请号： | 200710027408.8 | 申请日： | 2007-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN101281940A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 李述体 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 510631广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 量子 led 外延 制备 方法 | ||
1. 一种GaN基量子阱LED外延片，其结构从下至上依次为衬底、低温缓冲层、n型层、量子阱、p型层，其特征在于n型层与量子阱之间有一限制层，量子阱与p型层之间有一限制层，量子阱为InxGa1-xN/InyGa1-yN量子阱。
2. 根据权利要求1所述的GaN基量子阱LED外延片，其特征在于所述限制层的禁带宽度小于相邻的n型层和p型层，并大于或等于量子阱势垒层的禁带宽度。
3. 根据权利要求1所述的GaN基量子阱LED外延片，其特征在于n型层为n型GaN，或n型GaN和n型AlGaN；p型层为p型GaN，或p型AlGaN和p型GaN，所述p型层的受主为Mg。
4. 根据权利要求1所述的GaN基量子阱LED外延片，其特征在于n型层与量子阱之间的限制层为n型InGaN层，厚度为0.02μm～0.1μm。
5. 根据权利要求4所述的的GaN基量子阱LED外延片，其特征在于所述n型InGaN层的施主为Si，或者不掺杂。
6. 根据权利要求1所述的GaN基量子阱LED外延片，其特征在于量子阱与p型层之间的限制层为n型InGaN层或p型InGaN层，厚度为0.02μm～0.1μm。
7. 根据权利要求6所述的GaN基量子阱LED外延片，其特征在于p型InGaN层的掺杂受主为Mg，n型InGaN层的掺杂施主为Si或者不掺杂。
8. 根据权利要求1所述的GaN基量子阱LED外延片，其特征在于所述InxGa1-xN/InyGa1-yN量子阱是单量子阱或多量子阱。
9. 根据权利要求1所述的GaN基量子阱LED外延片，其特征在于所述低温缓冲层与n型层之间设有未掺杂GaN层。
10. 一种如权利要求1所述的GaN基量子阱LED外延片的制备方法。
1)采用MOCVD设备，在480℃～550℃的温度下，在衬底上生长GaN低温缓冲层；
2)在1000℃～1100℃的温度下，生长n型层；
3)将温度降至700℃～900℃，生长n型InGaN层限制层，限制层的厚度为0.02μm～0.1μm。
4)在温度为550℃～800℃生长InxGa1-xN/InyGa1-yN量子阱，周期数为1～10。
5)在温度700℃～900℃，生长InGaN限制层，限制层的厚度为0.02μm～0.1μm。
6)在温度900℃～1100℃，生长p型层。
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