[发明专利]场效应晶体管死区控制驱动信号的发生电路有效
申请号: | 200710027574.8 | 申请日: | 2007-04-10 |
公开(公告)号: | CN101072020A | 公开(公告)日: | 2007-11-14 |
发明(设计)人: | 毛宏建 | 申请(专利权)人: | 美的集团有限公司 |
主分类号: | H03K5/01 | 分类号: | H03K5/01 |
代理公司: | 佛山市粤顺知识产权代理事务所 | 代理人: | 唐强熙 |
地址: | 528300广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 场效应 晶体管 死区 控制 驱动 信号 发生 电路 | ||
1.一种场效应晶体管死区控制驱动信号的发生电路,包括串接的压控振荡器VCO和后续驱动电路DRIVER,其特征是所述压控振荡器VCO与后续驱动电路DRIVER之间设置有脉宽调制集成芯片TL494,所述压控振荡器VCO与TL494的第3脚连接,给其输入一个频率可变的波形信号;TL494的第5脚串接有分压电路;TL494的第7脚与第12脚之间并接有滤波电路;分压电路由电容C1和电阻R2组成的并联电路与电阻R1串联构成,为TL494第5脚提供一个范围在0.12V至3.3V的电压。
2.根据权利要求1所述的死区控制驱动信号的发生电路,其特征是所述TL494的第6脚与电阻R3一端连接,R3另一端接地。
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