[发明专利]一种采用红外烧结炉制备三氧化钼纳米结构及其薄膜的方法

权利要求书

1、一种采用红外烧结炉制备三氧化钼纳米结构及其薄膜的方法，其特征在于：采用红外烧结炉，在大气环境下通过加热钼蒸发源并使其蒸发；所蒸发的钼和大气中的氧气反应形成氧化钼，并沉积在衬底基板上形成三氧化钼纳米结构及其薄膜。

2、如权利要求1所述的一种采用红外烧结炉制备三氧化钼纳米结构及其薄膜的方法，其特征在于：所述三氧化钼结构为三氧化钼纳米带或三氧化钼纳米片，所述衬底基板是硅片、金属片或ITO玻璃，三氧化钼纳米带或三氧化钼纳米片生长在上述衬底基板上并形成薄膜。

3、如权利要求1所述的一种采用红外烧结炉制备三氧化钼纳米结构及其薄膜的方法，其特征在于：所述三氧化钼结构为三氧化钼纳米棒，所述衬底基板是玻璃，三氧化钼纳米棒生长在衬底基板上并形成薄膜。

4、如权利要求1所述的一种采用红外烧结炉制备三氧化钼纳米结构及其薄膜的方法，其特征在于，其工艺步骤如下：

a)清洁衬底基板；

b)红外烧结炉设有蒸发源区和基板区，使蒸发源区温度为温度T₁，基板区温度为T₂，T₁＞T₂，并保持稳定；

c)将钼蒸发源和衬底基板输送至所设定温度区T₁和T₂，并保持一定的时间t；

d)降温并冷却至室温；

e)取出基板。

5、如权利要求1所述的一种采用红外烧结炉制备三氧化钼纳米结构及其薄膜的方法，其特征在于，所述的钼蒸发源可以是钼粉、钼片和钼舟。

6、如权利要求4所述的一种采用红外烧结炉制备三氧化钼纳米结构及其薄膜的方法，其特征在于，所述三氧化钼纳米结构为三氧化钼纳米棒，其工艺步骤如下：

a)以ITO玻璃为衬底基板，清洁衬底基板；

b)红外烧结炉设有蒸发源区和基板区，使蒸发源区温度为650℃～850℃，基板区温度为150℃～450℃₂，并保持稳定；

c)将钼蒸发源和衬底基板输送至蒸发源区和基板区，并保持至少一分钟；

d)降温并冷却至室温；

e)取出基板。

7、如权利要求4所述的一种采用红外烧结炉制备三氧化钼纳米结构及其薄膜的方法，其特征在于，所述三氧化钼纳米结构为三氧化钼纳米棒，其工艺步骤如下：

a)以玻璃为衬底基板，清洁衬底基板；

b)红外烧结炉设有蒸发源区和基板区，使蒸发源区温度为650℃～850℃，基板区温度为150℃～450℃₂，并保持稳定；

c)将钼蒸发源和衬底基板输送至蒸发源区和基板区，并保持至少二十分钟；

d)降温并冷却至室温；

e)取出基板。

8、如权利要求4所述的一种采用红外烧结炉制备三氧化钼纳米结构及其薄膜的方法，其特征在于，所述三氧化钼纳米结构为三氧化钼纳米片，其工艺步骤如下：

a)以ITO玻璃为衬底基板，清洁衬底基板；

b)红外烧结炉设有蒸发源区和基板区，使蒸发源区温度为650℃～950℃，基板区温度为室温～150℃₂，并保持稳定；

c)将钼蒸发源和衬底基板输送至蒸发源区和基板区，并保持至少一分钟；

d)降温并冷却至室温；

e)取出基板。

9、如权利要求4所述的一种制备三氧化钼纳米结构及其薄膜的方法，其特征在于，所述清洗衬底基板的方法为将衬底基板依次在丙酮和无水乙醇中进行超声清洗。