[发明专利]内存数据存取装置及使用其之电子装置

说明书

技术领域

本发明是有关于一种数据存取装置，且特别是有关于一种用于反及闪存的数据存取装置。

背景技术

目前的闪存主要分为两种，分别为反或闪存(以下简称NOR Flash)与反及闪存(以下简称NAND Flash)，并具有不同的电路结构。就读取接口而言，NOR Flash具有一数据总线与一地址总线，每个字节都可以直接存取，并且具有较快的存取速度。相较于NOR Flash，NAND Flash是以多任务的I/O接口来分别处理地址与数据，并且控制端必须通过指令来存取NAND Flash内的数据，同时，NANDFlash内的数据以区块为单位来存取，而每个字节的数据无法直接地被存取。

由于上述NAND Flash的存取接口，使得目前NAND Flash无法于开机程序当中。因此，目前许多电子装置(例如手机、PDA等等)都将开机程序所需使用的开机程序以及系统程序或应用程序储存于NOR Flash。但是，在相同的芯片体积下，NAND Flash的储存容量明显地大于NOR Flash，并且生产的成本也小于NORFlash。因此，目前NAND Flash只能用来储存容量较大的语音数据或图片数据，以减少电子装置所需的体积。

但是，随着电子装置的发展，其内部程序所需的内存容量也相对的增高，而NOR Flash在电子装置内所占用的体积也越来越庞大，使得电子装置的体积也随之变大，因而造成电子装置无法符合在市场上轻薄短小的要求。并且，若电子装置装同时存在有NAND Flash与NOR Flash，虽然可以降低电子装置的体积，但是却也让电子装置内需要两个存取的接口，来分别存取NAND Flash与NORFlash内的数据，使得电子装置内的电路更加复杂，并增加电路的成本。

发明内容

本发明提供一种内存数据存取装置，让NAND Flash能够在开机程序中所使用，因而可以让电子装置只需要一个NAND Flash就可储存所有的数据，以减少电路的成本。

本发明提供一种电子装置，能够将所有的数据储存于NAND Flash，以减少电子装置的体积，并降低电路的成本。

本发明提出一种内存数据存取装置，用于存取一NAND Flash，其中NANDFlash储存有一高阶开机程序。而内存数据存取装置包括存取控制器与开机模块。其中，存取控制器耦接至NAND Flash，用以提供一存取NAND Flash的接口。而开机模块储存有一低阶开机程序。其中，在一开机程序中，开机模块根据低阶开机程序，对一电子装置的一处理单元作初使化，并通过存取控制器读取出NAND Flash内的一高阶开机程序以启动电子装置。

在本发明的一实施例中，包括一译码器。此译码器耦接于存取控制器与开机模块，用以将高阶开机程序转换为处理单元可接收的数据，并输出至处理单元。在实施例中，处理单元包括内存以及中央处理器。内存用以储存由内存数据存取装置所读取出的高阶开机程序。中央处理器用以执行低阶开机程序与高阶开机程序。较佳实施例中，内存包括一随机存取内存。高阶开机程序由C语言所写成。低阶开机程序由汇编语言所写成。

本发明还提出一种电子装置，包括处理单元、NAND Flash、存取控制器以及开机模块。其中，NAND Flash储存有高阶开机程序。而存取控制器耦接至NANDFlash，用以提供存取NAND Flash的接口。而开机模块储存有低阶开机程序。其中在开机程序中，开机模块根据低阶开机程序，对处理单元作初始化，并通过存取控制器读取出NAND Flash内的一高阶开机程序以启动电子装置。

本发明通过在电子装置启动时，先于内存数据存取装置执行较低阶开机程序，因而让NAND Flash能够在开机程序中所使用，使得电子装置内只需一个NANDFlash就可储存所有的数据，因而减少了电子装置的体积与电路的成本。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明电子装置实施例的电路方块图。

图2为本发明电子装置另一实施例的电路方块图。

具体实施方式