[发明专利]含硅芴共轭聚合物及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种含硅芴共轭聚合物，其特征在于具有以下结构；

其中

R₁、R₂为相同或不同的C₁-C₂₀的烷基、烷氧基、烷氧苯基或苯基；R₃、R₄为相同或不同的H，C₁-C₂₀的烷基、烷氧基、烷氧苯基、苯基；

Ar是指含有硫和/或氮杂原子的杂环化合物；曲线部分表示硅芴单元与Ar的连接方式为单键，双键，三键或非共轭单元。

X∶Y＝25-65∶35-75摩尔；

n＝1，2，3，……

2.根据权利要求1所述的含硅芴共轭聚合物，其特征在于含有硫和/或氮杂原子的杂环化合物是苯并噻二唑、萘并噻二唑、噻吩、连噻吩中的一种或一种以上。

3.根据权利要求1所述的含硅芴共轭聚合物，其特征在于含有硫和/或氮杂原子的杂环化合物具有以下一种或一种以上结构式：

其中R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆为相同或不同的H、C₁-C₂₀的烷基、烷氧基、烷氧苯基；

其中R₁，R₂为相同或不同的H、C₁-C₂₀的烷基、烷氧基、烷氧苯基；R₃为H或CN。

4.权利要求1-3之一所述含硅芴共轭聚合物的制备方法，其特征在于如下将2，7-硅芴单体与含氮和/或硫杂原子的窄带隙单体进行共聚，将其吸收带边推向红光及近红外区。

5.权利要求1-3之一所述的共聚物，其特征在于吸收光谱的吸收边大于500纳米。

6.权利要求1-3之一所述含硅芴共轭聚合物在制备聚合物太阳能电池中的应用。

7.根据权利要求6所述的应用，其特征在于应用于聚合物异质结太阳电池的给体相，其与电子受体材料C₆₀或其衍生物、有机电子受体材料或无机纳米晶混合制成溶液，涂覆在ITO玻璃或缓冲层上，制备成薄膜，然后在其上蒸镀金属制备成器件。

8.权利要求1-3之一所述含硅芴共轭聚合物在制备聚合物场效应管中的应用，其特征在于应用于有机薄膜晶体管的半导体活性层。