[发明专利]高清晰不失真音频分频器有效
申请号: | 200710031721.9 | 申请日: | 2007-11-26 |
公开(公告)号: | CN101170842A | 公开(公告)日: | 2008-04-30 |
发明(设计)人: | 王叙平 | 申请(专利权)人: | 王叙平 |
主分类号: | H04R3/12 | 分类号: | H04R3/12 |
代理公司: | 揭阳市博佳专利代理事务所 | 代理人: | 黄镜芝;黄少松 |
地址: | 522031广东省揭阳市东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 清晰 失真 音频 分频器 | ||
技术领域:
本发明涉及一种音频分频器,尤其是一种以革新低频电感器的结构及特殊连接而制造出高清晰且不失真的音频分频器。
背景技术:
现在音响系统中音频分频器电路中的低频电感器普遍采用电感公式制作。按这种方法制作,为了达到一定的电感量,绕制的线圈匝数和层数必定很多,所以必须使用较大参数的补偿原件即电容器(如图1、图2所示),这种制作方法不但噪音大,还干扰了中、高频的音质,严重扭曲了原声。现有技术认为,这些噪音是箱体内的驻波产生的,导致目前市场上的音箱都在箱体内安装吸音材料来降低那些噪音,但仍未能解决问题。其实那些噪音是分频器的低频电路使用的电感线圈对喇叭电感线圈的影响引起的,从而导致音箱出现低音浑浊,特别是在击鼓声过后的拖尾音把整个声场混为一体的噪杂声音,给聆听者产生心闷,容易疲劳的感觉。这就是现行音频分频器技术的缺陷。
发明内容:
本发明的目的在于针对以上所述音频分频器的不足,提供一种高清晰且不失真的音频分频器。
本人在研究和实践过程中发现:电感线架芯体直径的大小会改变喇叭的音质效果。举个例子:2个电感器采用的线架芯体直径不同,漆包线线径相同,在绕制匝数和层数不相同的情况下,它们都可以具有相同的电感值。尽管具有相同的电感值,但使用在分频器电路上产生出来的音质不会相同。如果线架芯体直径太大,低音产生出来的击鼓声音力度不足;如果线架芯体直径太小,扬声器受压缩,声音出现尖硬。由此可见,电感线架芯体直径的大小能够起到改变音质效果的作用。
漆包线的线径大小也会改变低音的音质效果,如果线径太小,阻止大,低频的信号会受到限制,造成低音的击鼓声音力度不足,线径太大低频的音质会失真。所以线径的大小必须根据扬声器的功率大小相匹配,才能取得理想的音质效果。
如果电感线圈绕制的匝数和层数太多就会出现噪音,还会扭曲原声。为什么电感线圈的匝数和层数太多会出现噪音?因为喇叭的音圈也就是电感线圈。它采用的漆包线线径小,绕制线圈的层数只有一层而已,所以分频器电路中使用的电感线圈绕制的匝数和层数太多,就会与喇叭电感线圈产生相互反应,出现噪音。
本发明目的的实现,通过革新低频电感器的结构及采用特殊的连接方式,从而制造出高清晰且不失真的音频分频器。
本发明,包括低频分频电路,低频分频电路包括串联于低频输入线路正极上的电感线圈L1和并联连接于输出端的电容C1,在低频分频电路上串联连接电感线圈L2,电感线圈L2连接于电感线圈L1和低频扬声器W正极之间;在低频扬声器W的两端,并联连接电容C2。
本发明,所述电感线圈L1和电感线圈L2采用如下连接方法:电感线圈L1的小圈径端头连接低频输入线路的正极,电感线圈L1的大圈径端头连接电感线圈L2;而电感线圈L2的大圈径端头连接电感线圈L1,电感线圈L2的小圈径端头连接扬声器W的正极。
本发明,所述电感线圈L2与电感线圈L1一样,均由漆包线绕制构成,但:电感线圈L2使用的线架的芯体直径大于电感线圈L1所使用的线架的芯体直径;电感线圈L2绕制的线圈层数或匝数少于电感线圈L1绕制的线圈层数或匝数;电感线圈L2使用的漆包线线径大于电感线圈L1使用的漆包线线径。
本发明,所述电感线圈L1使用线架的芯体直径可选取8mm~18mm;电感线圈L2使用线架的芯体直径可选取10mm~20mm。
本发明,所述电感线圈L1绕制的匝数每层为7~15匝,漆包线递增层数为4~8层;电感线圈L2绕制的匝数每层为6~13匝,漆包线递增层数为2~4层。
本发明,所述电感线圈L1使用的漆包线线径由低频扬声器W的功率确定,而电感线圈L2使用的漆包线线径比电感线圈L1使用的漆包线线径大15%~30%。例如若音箱使用的扬声器功率为100W,电感线圈L1使用的线径为1.0mm~1.2mm,每增大50W线径就增大0.05~0.1mm之间;电感线圈L2使用的线径为1.3mm~1.5mm之间,每增大50W线径就增大0.05~0.1mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于王叙平,未经王叙平许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710031721.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:多晶硅铸锭炉的硅液溢流承接装置
- 下一篇:偏光子的制法及偏光片的制法