[发明专利]一种恒流源器件及制造方法

权利要求书

1.一种制造恒流源器件的方法，所述恒流源器件包括P型硅衬底(1)，形成于所述硅衬底(1)正面的氧化层(6)，位于所述氧化层(6)正面的漏极金属(2)、源极金属(3)、栅极金属(4)，所述恒流源器件还包括植入到所述硅衬底(1)中的P+保护环(50)、N+漏区(52)、N+源区(53)，位于所述N+源区(53)内的P+衬底区(51)，连接所述N+漏区(52)与所述N+源区(53)之间的N-通道区(54)，所述氧化层(6)上有若干个漏极通孔(82)、源极N+通孔(83)、源极P+衬底通孔(81)，所述漏极金属(2)填充若干个所述漏极通孔(82)并与所述N+漏区(52)相连接，所述源极金属(3)分别填充若干个源极N+通孔(83)、源极P+衬底通孔(81)并分别与所述N+源区(53)、所述P+衬底区(51)相连接，所述源极金属(3)、所述栅极金属(4)通过连接金属(7)相电连接，其特征在于：所述制造恒流源器件的方法包括以下步骤：

(a)将所述P型硅衬底(1)的上表面在氧化炉管内热氧化生长出氧化层保护膜，然后在光刻机上利用第一光刻版进行光刻，用含HF的腐蚀液对氧化层保护膜蚀刻；

(b)将二氟化硼或硼离子P型掺杂注入所述硅衬底(1)内，再予以高温驱入，形成所述P+保护环(50)、所述P+衬底区(51)；

(c)在光刻机上利用第二光刻版进行光刻，再用干法蚀刻工艺对步骤

(b)后形成的氧化层进行蚀刻，然后用离子注入机将砷离子或砷离子和磷离子注入所述硅衬底(1)，再予以高温驱入，形成N+重掺杂区，即形成所述N+漏区(52)、所述N+源区(53)；

(d)在光刻机上利用第三光刻版进行光刻，用含HF的腐蚀液对步骤(b)后形成的所述N+漏区(52)和所述N+源区(53)之间的栅极阻挡区的氧化层进行蚀刻，再以高温干氧或湿氧形成栅极及源漏极氧化层，然后注入磷离子或注入磷离子及硼离子，再予以高温驱入，形成所述氧化层(6)及所述N-通道区(54)；

(e)在光刻机上利用第四光刻版进行光刻，再用蚀刻工艺对所述氧化层(6)进行蚀刻，形成所述漏极通孔(82)、所述源极N+通孔(83)、所述源极P+衬底通孔(81)；

(f)以溅射或蒸镀的方法沉积金属层，然后在光刻机上利用金属层光刻掩模版进行光刻，再用干法或湿法蚀刻工艺对金属层进行蚀刻，形成所述漏极金属(2)、所述源极金属(3)、所述栅极金属(4)及所述连接金属(7)。

2.根据权利要求1所述的制造恒流源器件的方法，其特征在于：所述恒流源器件还包括植入到所述硅衬底(1)中的N+保护环(55)，所述N+保护环(55)位于所述P+保护环(50)的内侧，所述N+保护环(55)将所述N+漏区(52)包围或将所述N+漏区(52)与所述N+源区(53)包围，所述步骤(c)中在高温驱入后同时形成所述N+保护环(55)。

3.根据权利要求1所述的制造恒流源器件的方法，其特征在于：所述漏极金属(2)、所述源极金属(3)、所述栅极金属(4)为铝或铜或硅铝合金。