[发明专利]精确对称互补信号产生电路无效
| 申请号： | 200710035333.8 | 申请日： | 2007-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101087131A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 杨学军;王建军;李少青;张民选;陈吉华;赵振宇;陈怒兴;马剑武;邹金安;何小威;欧阳干;王洪海;刘征;唐世民;王东林 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | H03K5/151 | 分类号： | H03K5/151 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 | 代理人： | 赵洪 |
| 地址： | 410073湖南省长沙市砚瓦池正街47号*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 精确 对称 互补 信号 产生 电路 | ||
【权利要求书】：
1、一种精确对称互补信号产生电路，其特征在于：它包括互补信号产生单元、差分调整单元和输出缓冲单元，所述互补信号产生单元包括由串联的第一反相器(I1)和第二反相器(I2)组成的第一支路以及由第三反相器(I3)和传输门(G1)组成的第二支路，所述差分调整单元包括第一PMOS晶体管(M1)、第二PMOS晶体管(M2)以及第一NMOS晶体管(M3)、第二NMOS晶体管(M4)，第二PMOS晶体管(M2)和第二NMOS晶体管(M4)的漏源相连并连结到第一PMOS晶体管(M1)的栅极，第一PMOS晶体管(M1)和第一NMOS晶体管(M3)的漏源相连并连结到第二PMOS晶体管(M2)的栅极，第一NMOS晶体管(M3)和第二NMOS晶体管(M4)的栅极作为输入端；所述输出缓冲单元包括两组两级串联的反相器。
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