[发明专利]压差可控开关有效

专利信息
申请号: 200710036505.3 申请日: 2007-01-12
公开(公告)号: CN101222218A 公开(公告)日: 2008-07-16
发明(设计)人: 曹先国 申请(专利权)人: 曹先国
主分类号: H03K17/08 分类号: H03K17/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201204上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 可控 开关
【权利要求书】:

1.一种压差可控开关,其特征在于,包括两类端口和三类模块,具体为:

外界端口,标记为A端与B端,开关闭合时外界端口A端与B端信号通路连通,开关断开时外界端口A端与B端信号通路断开;

控制端口,由若干端口C1、C2……Cn组成,传递向电平位移部分传送控制信号;

第一类模块即MOSFET开关管部分,由两个或两个以上串联的MOS管构成,第一端与第二端分别连接在A端和B端,组成该部分的各MOS管的栅极连接不同的控制和限幅输出部分;

第二类模块即控制和限幅输出部分,第一端连接外界电路的A端或B端,其余端口连接电平位移部分,并视开关功能需要连接MOS管部分各MOS管的栅极;

第三类模块即电平位移部分,由外加控制信号通过控制口C1、C2……Cn进行控制,控制端口的数量不限,输出信号连接控制和限幅输出部分。

2.根据权利要求1所述压差可控开关,其特征在于,所述的MOSFET开关管部分,串联的MOS管中,最靠近A端的MOS管的衬底倒向A端,MOS管的栅极对应连接在与A端相连的控制与限幅输出部分;最靠近B端的MOS管的衬底倒向B端,MOS管的栅极对应连接在与B端相连的控制与限幅输出部分;位于中间的各MOS管根据需要,衬底可以倒向A端或B端,倒向A端时该MOS管的栅极对应连接在与A端相连的控制与限幅输出部分,倒向B端时该MOS管的栅极对应连接在与B端相连的控制与限幅输出部分。

3.根据权利要求1所述压差可控开关,其特征在于,所述的MOSFET开关管部分,既可以是两个MOSFET串联构成,也可以是多个MOSFET管的串联构成,还可以是两组或两组以上的多个MOSFET管串联以后再并联的混合结构,各MOS开关管既可以是P型MOSFET管,也可以是N型MOSFET管,或者是P型MOSFET管和N型MOSFET管的任意组合而成的混合体。

4.根据权利要求1所述压差可控开关,其特征在于,所述的控制和限幅输出部分,包括:交叉连接的双MOS开关管对,可以是PMOS开关管对或NMOS开关管对,MOS开关管的源极作为控制和限幅输出部分的第一端连接外界电路A端或B端,MOS开关管的栅极与漏极交叉连接,分别作为控制和限幅输出部分的输出端口,连接电平位移部分,并视开关功能和需要连接MOS管部分,从而将外加电路的较高的电压信号传至MOSFET开关管部分,使MOS管截止以断开外界电路;

并联在开关管对的源漏级之间的限幅器,对外界电路电压进行限幅,保护MOS开关管各MOS管不被击穿,具体实现可以为通常的模拟集成方法实现的各种限幅器。

5.根据权利要求1所述压差可控开关,其特征在于,所述的电平位移部分,包括:

输入信号处理单元,由一个或数个传输门结构的MOS管构成,传输门MOS管的栅极由外加控制信号控制,从而将控制信号或控制信号的反相信号传至NMOS差分对管,进行了电平的位移;NMOS差分对管,其栅极分别连接不同的输入信号单元,源极连接恒流源,漏极作为电平位移单元的输出端口连接控制和限幅输出部分;

恒流源,由通常的模拟电路实现方法实现,向NMOS差分对管提供稳定的电流,并提高NMOS差分对管源极的电压。

6.根据权利要求1、2、3、4、5所述压差可控开关,其特征在于:所述的MOSFET开关管部分、控制和限幅输出部分、电平位移部分,可采用普通MOS开关管以节约开销,其型号可采用同一类型,也可采用不同类型。

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