[发明专利]扫描曝光机校准度检测方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及利用扫描曝光机进行晶片加工的领域，尤其涉及一种扫描曝光机校准度检测方法。

【背景技术】

用来加工集成电路用的晶片，一般分为十几层，有些要分为二十几层，因为各层的结构不同，所以通常每层都是经过不同的扫描曝光机加工到晶片上的。如果不同的扫描曝光机的对准不一致，则同一晶片的不同层之间就会存在偏差，如果这个偏差超出了规定的标准范围，则生产加工出来的晶片的各层之间也会有很大的偏差，这样的晶片就无法用来进行后续加工，就是不合格产品。

要解决晶片不同层之间的对准偏差问题，就要尽量使所有机台的对准都一致。因此，业界一直不断地致力于不同的扫描曝光机之间的绝对对准标准不同的问题，但绝对标准很难确定，因为不同机台内部的标准不同。因此用于检测不同扫描曝光机的校准标准和方法也很难确定。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种扫描曝光机校准度检测方法，克服了现有技术的不足，通过检测不同扫描曝光机之间的相对偏差，解决检测多台扫描曝光机对准不一致的问题。

本发明是通过以下技术方法实现的：

一种扫描曝光机校准度检测方法，包括下列步骤：选定作为标准的扫描曝光机，并调整所述的标准扫描曝光机的传输系统的精度；使用所述的标准扫描曝光机在晶片上定义出预定的标记图形，并经刻蚀工艺加工后在晶片上形成立体标记图形；用待测扫描曝光机模拟加工所述的刻有标记的晶片；根据所述的待测扫描曝光机输出的加工结果报告中的偏差值与预定的偏差允许范围判断待测扫描曝光机的校准度。

所述的扫描曝光机校准度检测方法中，所述的晶片应为5片或5片以上。

所述的加工结果报告中的偏差值包括X方向的偏差值、Y方向的偏差值以及角度偏差值。所述的加工结果报告中的偏差值应为平均值。所述的标记的形状可以是矩形、圆形、三角形或椭圆形。所述的标记的图形的最大长度不应超过半径的三分之一。所述的标记应刻蚀在所述的晶片的三分之二半径和圆周之间。

所述的扫描曝光机校准度检测方法，所述的标记应为2个或2个以上。所述的标记之间的距离之和应为最大。所述的加工结果报告中的偏差值包括X方向的偏差值、Y方向的偏差值以及角度偏差值。所述的加工结果报告中的偏差值应为平均值。所述的标记的形状可以是矩形、圆形、三角形或椭圆形。所述的标记的图形的最大长度不应超过半径的三分之一。所述的标记应刻蚀在所述的晶片的三分之二半径和圆周之间。

本发明的扫描曝光机校准度检测方法以一台作为标准的扫描曝光机加工的若干晶片为参照，通过在待测机器上模拟加工时得出的数据来判断待测机器相对于标准扫描曝光机的对准度，解决了多台扫描曝光机对准不一致时的检测问题。

【附图说明】

图1是本发明扫描曝光机校准度检测方法的流程图；

图2是有刻蚀标记的晶片的示意图；

图3是使用本发明方法判断多台扫描曝光机校准度的示意图；

【具体实施方式】

请参阅图1，图1为本发明扫描曝光机校准度检测方法的流程图，包括下列步骤：选定作为标准的扫描曝光机，调整所述的标准扫描曝光机的传输系统的精度；使用所述的标准扫描曝光机在晶片上定义出预定的标记图形，并经刻蚀工艺加工后在晶片上形成立体标记图形；用待测扫描曝光机模拟加工所述的刻有标记的晶片；将所述的待测扫描曝光机输出的加工结果报告中的偏差值与预定的偏差允许范围对比，判断待测扫描曝光机的校准度。

所述的加工结果报告中的偏差值包括X方向的偏差值、Y方向的偏差值以及角度偏差值。所述的加工结果报告中的偏差值应为平均值。所述的标记的形状可以是矩形、圆形、三角形或椭圆形。所述的标记的图形的最大长度不应超过半径的三分之一。所述的标记应刻蚀在所述的晶片的三分之二半径和圆周之间。

实验数据表明用于检测的晶片为1片时，检测精度为80％；晶片为2片时，检测精度为93％；晶片为3片时，检测精度为95％；晶片为4片时，检测精度为96％；晶片为5片时，检测精度为98％。一般认为检测精度为98％以上，符合高精度对准标准。

因此，在本发明的一个较佳实施例中，使用本发明方法时，用于检测的刻蚀标记的晶片为5片或5片以上，此时检测精度为98％以上。其中所述的加工结果报告中的偏差值包括X方向的偏差值、Y方向的偏差值以及角度偏差值。所述的加工结果报告中的偏差值应为平均值。所述的标记的形状可以是矩形、圆形、三角形或椭圆形。所述的标记的图形的最大长度不应超过半径的三分之一。所述的标记应刻蚀在所述的晶片的三分之二半径和圆周之间。