[发明专利]一种可改善多晶硅栅极侧面轮廓的栅极制作方法有效
| 申请号： | 200710037157.1 | 申请日： | 2007-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN101241853A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 吴俊雄;任连娟;贾宬;范生辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3065;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 多晶 栅极 侧面 轮廓 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1. 一种可改善多晶硅栅极侧面轮廓的栅极制作方法，该方法首先在晶圆衬底上淀积一多晶硅层，然后对该多晶硅层进行光刻，之后使用含有氯气的气体对该多晶硅层进行干法刻蚀来形成多晶硅栅极，其特征在于，在该干法刻蚀过程中，该氯气的流量范围为5scmm到9sccm。
2. 如权利要求1所述的可改善多晶硅栅极侧面轮廓的栅极制作方法，其特征在于，该干法刻蚀过程中还用到氧化氦气体。
3. 如权利要求2所述的可改善多晶硅栅极侧面轮廓的栅极制作方法，其特征在于，该氧化氦的流量为5sccm。
4. 如权利要求1所述的可改善多晶硅栅极侧面轮廓的栅极制作方法，其特征在于，该干法刻蚀过程中还用到溴化氢气体。
5. 如权利要求4所述的可改善多晶硅栅极侧面轮廓的栅极制作方法，其特征在于，该溴化氢的流量为170sccm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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