[发明专利]半导体隔离结构及其形成方法无效
| 申请号： | 200710037674.9 | 申请日： | 2007-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101246837A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 隔离 结构 及其 形成 方法 | ||
1. 一种半导体隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在半导体衬底上形成牺牲氧化层；
在牺牲氧化层上形成掩膜，图案化所述掩膜，在半导体衬底上定义出有源区和隔离区；
通过牺牲氧化层向隔离区注入氧离子和氮离子；
除去掩膜；
对半导体衬底进行退火，形成隔离结构；
去除牺牲氧化层。
2. 根据权利要求1所述半导体隔离结构的形成方法，其特征在于，通过牺牲氧化层向隔离区注入氧离子和氮离子的工艺为1至3次的氧离子和氮离子注入。
3. 根据权利要求1或者2所述半导体隔离结构的形成方法，其特征在于，氧离子和氮离子的注入工艺为：先注入氮离子，再注入氧离子或者先注入氧离子再注入氮离子。
4. 根据权利要求3所述半导体隔离结构的形成方法，其特征在于，氧离子或者氮离子的注入能量为1KeV～500KeV。
5. 根据权利要求4所述半导体隔离结构的形成方法，其特征在于，氧离子或者氮离子注入能量为200KeV～300KeV。
6. 根据权利要求3所述半导体隔离结构的形成方法，其特征在于，氧离子或者氮离子的注入剂量为1E12至1E18每平方厘米。
7. 根据权利要求6所述半导体隔离结构的形成方法，其特征在于，氧离子或者氮离子的注入剂量为1E15至1E16每平方厘米。
8. 根据权利要求1或者2所述半导体隔离结构的形成方法，其特征在于，退火温度为1000℃至1400℃。
9. 根据权利要求1或者2所述半导体隔离结构的形成方法，其特征在于，退火时间为1μs至5小时。
10. 根据权利要求1所述半导体隔离结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲氧化层为氧化硅或氮氧化硅。
11. 一种半导体隔离结构，其特征在于，包括：
半导体衬底；
在半导体衬底上形成的有源区；
和位于有源区之间的隔离区；
所述隔离区中包含注入的氧离子和氮离子。
12. 根据权利要求11所述的半导体隔离结构，其特征在于，所述氧离子和氮离子的注入深度为
13. 根据权利要求11所述的半导体隔离结构，其特征在于，所述半导体衬底为硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
