[发明专利]衰减式相位移光罩的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域的制造技术，具体地说，涉及一种衰减式相位移光罩的制造方法。

背景技术

光罩工艺是半导体制造中的一个重要流程。曝光装置发出一定强度的曝光光束通过光罩在晶圆上进行曝光形成所需要的图形，从而在晶圆上制造出需要的电路。在半导体制造领域中，光罩主要有二进制强度光罩、衰减式相位移光罩(Attenuated Phase Shift Masks)和交替式光罩交替式相位移光罩。其中衰减式相位移光罩被广泛应用对晶圆的接触层(contact layer)的曝光步骤中。图1及图2分别为现有衰减式相位移光罩的俯视示意图和侧视示意图。请参阅图1及图2，衰减式相位移光罩一般包括完全透光的石英玻璃1′以及位于石英玻璃上具有一定透光率的移相层2′。根据所需要在晶圆接触层曝光形成的图形，在移相层2′上蚀刻出原始图形3′。曝光装置发射一定强度的曝光光束，其透过该衰减式光罩对晶圆接触层进行曝光步骤。由于衍射的存在，一般情况下，实际图形4′和原始图形3′(理论图形)有一定偏差，如直角的图形会变得圆滑等等，如图1中所示。光学趋近效应校正(optical Proximity Correction，OPC)是半导体领域用来提高实际图形与理论图形一致性的常用方法。

随着半导体器件生产工艺从亚微米发展到超深亚微米，晶圆的制作越来越精密，晶圆接触层上所需曝光图形的特征尺寸也越来越小。这样使得光罩的图形区周围的移相层上很容易产生亮度环(intensity ring)，这种现象称为吉卜斯现象(Gibbs phenomena)。在曝光装置透过该光罩对接触层进行曝光及显影步骤后，接触层对应光罩的亮度环的位置处就会产生不需要的蚀刻图形，即旁瓣图形(side lobe printing)5′。而且接触层上的所需图形密度越大，移相层的透光率越高，亮度环出现的就几率越多，接触层上产生的不期望的旁瓣图形就越多。这些旁瓣图形严重影响了晶圆电路的正确性，降低了晶圆的成品率。

因此，需要提供一种新的光罩的制造方法以克服上述缺陷。

发明内容

本发明解决的技术问题在于提供一种可避免或至少减小晶圆接触层出现旁瓣图形的光罩的制造方法。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种衰减式相位移光罩的制造方法，其包括如下步骤：a.提供光罩基片，其包括完全透光的石英玻璃及位于石英玻璃上面具有透光率的移相层，移相层上形成有原始图形；b.对光罩基片进行模拟侦测步骤，采用比实际照射该光罩的光束强度高的光束进行照射，在移相层上出现亮度环的位置做标记图形；c.在移相层上镀不透光薄膜，覆盖所述标记图形。

进一步地，步骤b中还包括将所述标记图形拓展为规则的正多边形。

进一步地，步骤b是以建模的方式输入模拟装置中，在移相层上侦测亮度环位置做标记图形的，然后自动将标记图形拓展为规则的正多边形。

进一步地，步骤c中的不透光薄膜为铬薄膜。

与现有技术相比，本发明通过模拟侦测步骤在光罩可能产生亮度环的位置做标记图形，在移相层上镀不透光薄膜覆盖所述标记图形的方法，避免了对晶圆接触层曝光步骤后，在接触层对应亮度环的位置上产生不期望的旁瓣图形的现象，达到了提高晶圆电路准确性，进而提高晶圆成品率的有益效果。

附图说明

通过以下对本发明一实施例结合其附图的描述，可以进一步理解其发明的目的、具体结构特征和优点。其中，附图为：

图1、2为现有衰减式相位移光罩的俯视和侧视示意图。

图3为本发明在光罩基片上做标记图形的示意图。

图4为本发明在光罩基片上镀不透光薄膜的示意图。

图5为本发明制造方法的流程图。

具体实施方式

请参阅图3至图5，本发明提供了一种衰减式相位移光罩的制造方法，该方法包括如下步骤：

提供光罩基片，该光罩基片包括完全透光(100％透光率)的石英玻璃1以及位于石英玻璃上面的具有一定透光率的移相层2，在本实施方式中，移相层采用的是透光率为6％的薄膜，在移相层上蚀刻出所需要图形3(原始图形)；

提供模拟侦测装置中，对光罩基片进行模拟侦测步骤，采用比实际照射该光罩基片的光束强度高的光束对光罩基片进行照射，在移相层上出现亮度环的位置做标记图形5；

在光罩基片上镀一层覆盖所述标记图形5的不透光薄膜，使曝光装置发出的光束无法透过亮度环5位置处的移相层2。