[发明专利]光刻胶的去除方法及光刻工艺的返工方法

权利要求书

1. 一种光刻胶的去除方法，包括：

提供一半导体晶片，在所述半导体晶片表面有光刻胶层；

在所述光刻胶层表面涂覆溶剂，通过所述溶剂溶解所述光刻胶层，使所述光刻胶层厚度减薄；

用等离子体轰击去除所述光刻胶层；

用湿法清洗所述半导体晶片表面。

2. 如权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，在所述光刻胶层表面涂覆溶剂的步骤如下：

将所述半导体晶片送入旋涂设备；

用真空吸盘吸附所述半导体晶片的背面；

向所述光刻胶层喷出溶剂；

旋转所述半导体晶片使所述溶剂铺满所述光刻胶层表面，并将被所述溶剂溶解的光刻胶甩出；

停止旋转所述半导体晶片；

将所述半导体晶片从所述旋涂设备中取出。

3. 如权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，该方法进一步包括用所述溶剂清洗所述半导体晶片的表面的步骤。

4. 如权利要求2或3所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：所述溶剂为单乙基醚丙二醇和丙二醇单甲醚乙酸酯混合物。

5. 如权利要求2或3所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：所述溶剂为丙烯乙二醇一甲胺以太醋酸盐或乙烯乙二醇一甲胺以太醋酸盐中的一种。

6. 如权利要求3所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，所述用溶剂清洗所述半导体晶片表面的步骤包括：

将所述半导体晶片送入旋涂设备并使真空吸盘吸附所述半导体晶片的背面；

向所述半导体晶片表面中央喷出溶剂；

旋转所述半导体晶片，使所述溶剂铺满所述半导体晶片表面，并被甩出；

停止旋转所述半导体晶片；

将所述半导体晶片从所述旋涂设备中取出。

7. 如权利要求2或6所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：所述半导体晶片旋转的速率小于500rpm。

8. 如权利要求7所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：所述半导体晶片旋转的时间为10至180s。

9. 如权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：所述等离子体为氧气等离子体。

10. 如权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：所述湿法清洗的清洗液为硫酸和双氧水的混合溶液。

11. 如权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：所述湿法清洗的清洗液为氢氟酸、氨水和极性有机溶剂的混合溶液。

12. 一种光刻工艺的返工方法，包括：

提供一半导体晶片，在所述半导体晶片表面有第一光刻胶层；

在所述第一光刻胶层表面涂覆溶剂，通过所述溶剂溶解所述光刻胶层，使所述第一光刻胶层厚度减薄；

用等离子体轰击去除所述第一光刻胶层；

用湿法清洗所述半导体晶片表面；

用所述溶剂清洗所述半导体晶片的表面；

在所述半导体晶片表面旋涂第二光刻胶层，并进行曝光显影。

13. 如权利要求12所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：所述溶剂为单乙基醚丙二醇和丙二醇单甲醚乙酸酯混合物。

14. 如权利要求12所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：所述溶剂为丙烯乙二醇一甲胺以太醋酸盐或乙烯乙二醇一甲胺以太醋酸盐中的一种。

15. 如权利要求12所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：所述用溶剂清洗所述半导体晶片表面的步骤包括：

将所述半导体晶片送入旋涂设备并使真空吸盘吸附所述半导体晶片的背面；

向所述第一光刻胶层表面喷出溶剂；

旋转所述半导体晶片，使所述溶剂铺满所述半导体晶片表面，并被甩出；

停止旋转所述半导体晶片；

将所述半导体晶片从所述旋涂设备中取出。

16. 如权利要求12或15所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：所述半导体晶片旋转的速率小于500rpm。

17. 如权利要求16所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：所述半导体晶片旋转的时间为10至180s。

18. 如权利要求12所述的光刻胶的去除方法，其特征在于：所述等离子体为氧气等离子体。