[发明专利]掩膜布局的测量方法无效
| 申请号： | 200710039424.9 | 申请日： | 2007-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101286008A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 陆梅君;梁强 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 布局 测量方法 | ||
1. 一种掩膜布局的测量方法，其特征在于包括下列步骤：
(a)置放一掩膜于一检测机台，且该掩膜上形成多个图案；
(b)透过该检测机台以于该掩膜上先选取相邻的二该图案，且该二该图案中，一该图案的一端与另一该图案的一端之间夹设一间隙区域；
(c)分别测量二该图案、该间隙区域的尺寸并进行记录；
(d)在完成步骤(c)后，自该掩膜上的该些图案再次选取其中的二该图案并重复上述步骤(b)至步骤(C)所述的方法，直到相对应的所有该图案皆已完成测量；以及
(e)根据该些图案与该些间隙区域的测量结果以决定该掩膜的后续工艺。
2. 根据权利要求1所述的掩膜布局的测量方法，其特征在于：在所述步骤(b)中选取的二该图案选自于不透光材料者或半透光材料，则该间隙区域为透光材料；或选取的二该图案为透光材料，则该间隙区域选自于不透光材料者或半透光材料。
3. 根据权利要求1所述的掩膜布局的测量方法，其特征在于：在所述步骤中分别测量二该图案的尺寸前先对二该图案进行焦距的对准。
4. 根据权利要求1所述的掩膜布局的测量方法，其特征在于：在所述步骤中进行测量该间隙区域的尺寸之前对该间隙区域进行焦距的对准。
5. 根据权利要求1所述的掩膜布局的测量方法，其特征在于：在所述步骤中分别测量二该图案的尺寸通过对准每一该图案的中央区域以进行测量。
6. 根据权利要求1所述的掩膜布局的测量方法，其特征在于：在所述步骤中测量该间隙区域的尺寸之前将该掩膜旋转一特定角度。
7. 根据权利要求1所述的掩膜布局的测量方法，其特征在于：在所述步骤中测量该间隙区域的尺寸通过对准该间隙区域的中央区域以进行测量。
8. 根据权利要求1所述的掩膜布局的测量方法，其特征在于：在所述步骤(e)中所依据的该图案的测量结果为每一该图案的测量结果计算自多次测量结果的平均。
9. 根据权利要求1所述的掩膜布局的测量方法，其特征在于：在所述步骤(e)中所依据的该间隙区域的测量结果为每一该间隙区域的测量结果计算自多次测量结果的平均。
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