[发明专利]侦测反应室内晶片温度分布的方法

权利要求书

1、 一种侦测反应室内晶片温度分布的方法，其特征在于包括下列步骤：

提供一晶片；

在该晶片上形成一监控层，其中该监控层的电阻值会随着温度变化；

将该晶片置于一待测的反应腔室内，进行热处理；

测量该监控层电阻值的变化，以获得该反应腔室内对一晶片进行升温时，晶片的各区域受热状态分布图。

2、 根据权利要求1所述的侦测反应室内晶片温度分布的方法，其特征在于：该监控层由至少一铝层与钛层所组成的堆栈层。

3、 根据权利要求2所述的侦测反应室内晶片温度分布的方法，其特征在于：该钛层上形成有一防止钛层直接与空气接触产生氧化的氮化钛层。

4、 根据权利要求1所述的侦测反应室内晶片温度分布的方法，其特征在于：该晶片为一控片。

5、 根据权利要求1所述的侦测反应室内晶片温度分布的方法，其特征在于：该反应腔室为一工艺腔室或者一除气腔室。

6、 根据权利要求1所述的侦测反应室内晶片温度分布的方法，其特征在于：该监控层的形成方法为利用沉积方式形成。

7、 根据权利要求2所述的侦测反应室内晶片温度分布的方法，其特征在于：该铝层与钛层在接收到热能时，将反应生成铝钛中间相。