[发明专利]晶片级芯片尺寸封装方法有效
| 申请号： | 200710039567.X | 申请日： | 2007-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN101290891A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 王津洲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 芯片 尺寸 封装 方法 | ||
1.一种晶片级芯片尺寸封装方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供具有至少一个芯片的晶片，其中芯片上配置有焊盘，焊盘上包含第一焊料凸块；
在基板上形成衬底层；
在衬底层上形成与第一焊料凸块一一对应的第二焊料层；
对齐第一焊料凸块和第二焊料层，并回流第二焊料层，形成与第一焊料凸块固定的第二焊料凸块；
移除基板，留下与第一焊料凸块固定的第二焊料凸块；
将晶片切割为至少一个芯片，完成晶片级芯片尺寸封装。
2.根据权利要求1所述的晶片级芯片尺寸封装方法，其特征在于：第二焊料层的熔融温度小于第一焊料凸块。
3.根据权利要求2所述的晶片级芯片尺寸封装方法，其特征在于：所述第一焊料凸块的熔融温度与第二焊料层的熔融温度的差值为5℃～110℃。
4.根据权利要求1至3任一项所述的晶片级芯片尺寸封装方法，其特征在于：
形成第一焊料凸块的工艺为电镀工艺。
5.根据权利要求4所述的晶片级芯片尺寸封装方法，其特征在于：第一焊料凸块为铅的质量高于95％的高铅铅锡合金、无铅焊料合金或共晶铅锡合金。
6.根据权利要求1至3任一项所述的晶片级芯片尺寸封装方法，其特征在于：
形成第二焊料层的工艺为印刷板工艺。
7.根据权利要求6所述的晶片级芯片尺寸封装方法，其特征在于：第二焊料层为共晶铅锡合金或无铅焊料合金。
8.根据权利要求7所述的晶片级芯片尺寸封装方法，其特征在于：回流第二焊料层的温度为210℃～270℃。
9.根据权利要求1所述的晶片级芯片尺寸封装方法，其特征在于：所述衬底层的材料是绝缘性的介电质材料或是与焊料之间无吸附作用力的耐热性的金属材料。
10.根据权利要求1所述的晶片级芯片尺寸封装方法，其特征在于：形成第一焊料凸块后，对晶片基底面进行研磨。
11.根据权利要求10所述的晶片级芯片尺寸封装方法，其特征在于：晶片研磨后的厚度为200μm～700μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710039567.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种由石油碳五馏份分离制取2－戊烯的方法
- 下一篇：晴雨伞
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
