[发明专利]修复多晶硅栅极侧壁刻蚀损伤的方法及栅极的制造方法

权利要求书

1.一种修复多晶硅栅极侧壁刻蚀损伤的方法，其特征在于，包括：

提供具有多晶硅栅极的半导体衬底；

对所述栅极执行原位生成水蒸气氧化工艺，在所述栅极侧壁形成氧化层；

在所述栅极侧壁形成侧壁层。

2.如权利要求1所述的修复多晶硅栅极侧壁刻蚀损伤的方法，其特征在于：所述原位生成水蒸气氧化工艺中氧气流量为1至15slm，氢气的流量为0.1至10slm。

3.如权利要求2所述的修复多晶硅栅极侧壁刻蚀损伤的方法，其特征在于：所述原位生成水蒸汽氧化工艺中用氮气或惰性气体作为稀释气体。

4.如权利要求2或3所述的修复多晶硅栅极侧壁刻蚀损伤的方法，其特征在于：所述原位生成水蒸气氧化工艺的温度为800至1200度。

5.如权利要求2或3所述的修复多晶硅栅极侧壁刻蚀损伤的方法，其特征在于：所述原位生成水蒸气氧化工艺中环境的压力为5至20Torr。

6.如权利要求1所述的修复多晶硅栅极侧壁刻蚀损伤的方法，其特征在于：所述形成的氧化层厚度小于10nm。

7.一种栅极的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成栅氧化层；

在所述栅氧化层上形成多晶硅层和金属硅化物层；

在所述金属硅化物层上形成硬掩膜层；

图形化并刻蚀所述多晶硅层和金属硅化物层，形成栅极；

对所述栅极执行原位生成水蒸气氧化工艺，在所述栅极侧壁形成氧化层；

在所述栅极侧壁形成侧壁层。

8.如权利要求7所述的栅极的制造方法，其特征在于：所述原位生成水蒸气氧化工艺中氧气流量为1至15slm，氢气的流量为0.1至10slm。

9.如权利要求7所述的栅极的制造方法，其特征在于：所述原位生成水蒸气氧化工艺的温度为800至1200度。

10.一种栅极的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成栅氧化层；

在所述栅氧化层上依次形成第一多晶硅层、介质层和第二多晶硅层；

图形化并刻蚀所述第一多晶硅层、介质层和第二多晶硅层，形成栅极；

对所述栅极执行原位生成水蒸气氧化工艺，在所述栅极侧壁形成氧化层；

在所述栅极侧壁形成侧壁层。

11.如权利要求10所述的栅极的制造方法，其特征在于：所述介质层为氧化硅、氮化硅中的一种或组合。

12.如权利要求10所述的栅极的制造方法，其特征在于：所述原位生成水蒸气氧化工艺的温度为800至1200度。