[发明专利]超疏水性SiC纳米纤维的合成方法无效
申请号: | 200710040470.0 | 申请日: | 2007-05-10 |
公开(公告)号: | CN101049931A | 公开(公告)日: | 2007-10-10 |
发明(设计)人: | 牛俊杰;王健农 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | C01B31/36 | 分类号: | C01B31/36;B82B3/00 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 王锡麟;张宗明 |
地址: | 200240*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 疏水 sic 纳米 纤维 合成 方法 | ||
1、一种超疏水性SiC纳米纤维的合成方法,其特征在于,采用硅片作为反应衬底和硅源,以固态碳材料为前驱体,以惰性气体氩气为保护气体及载气,以ZnS粉末为选择性辅助剂,在硅片上生长成SiC纳米纤维,再在合成出的SiC纳米纤维表面蒸镀一层全氟硅烷,从而得到接触角高于150度的超疏水性能SiC纳米纤维样品。
2、根据权利要求1所述的超疏水性SiC纳米纤维的合成方法,其特征是,包括步骤如下:
第一步,将硅片或底端添加ZnS粉末的硅片放入石英管式炉中央,碳固态碳材料被固定在石英管一侧;
第二步,将炉体温度升高到1100℃,在温度达到250℃时,通入惰性气体氩气;
第三步,在反应温度1100℃下,保持腔内气体流量,反应持续进行,反应完后将反应产物取出,在硅片表面得到大量SiC纳米纤维;
第四步,将得到的SiC纳米纤维和全氟硅烷密封一并放入不锈钢器罐中,进行蒸镀,得到具有超疏水性能的SiC纳米纤维样品。
3、根据权利要求2所述的超疏水性SiC纳米纤维的合成方法,其特征是,第一步中,反应在卧式石英管式炉中进行,碳固态碳材料通过烧结固定于石英管气体通入的一侧。
4、根据权利要求2所述的超疏水性SiC纳米纤维的合成方法,其特征是,第二步中,所述的将炉体温度升高到1100℃,升温速率为15℃/min。
5、根据权利要求2所述的超疏水性SiC纳米纤维的合成方法,其特征是,第二步中,所述的通入惰性气体氩气,气体流量为15l/h。
6、根据权利要求2所述的超疏水性SiC纳米纤维的合成方法,其特征是,第三步中,所述的反应持续进行,持续时间为2-4小时。
7、根据权利要求2所述的超疏水性SiC纳米纤维的合成方法,其特征是,第四步中,所述的全氟硅烷体积为0.05-0.2ml。
8、根据权利要求2所述的超疏水性SiC纳米纤维的合成方法,其特征是,第四步中,所述的蒸镀反应温度为150度。
9、根据权利要求2或8所述的超疏水性SiC纳米纤维的合成方法,其特征是,第四步中,所述的蒸镀反应时间为3.0小时。
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