[发明专利]半导体器件的制造方法有效
申请号: | 200710040626.5 | 申请日: | 2007-05-11 |
公开(公告)号: | CN101303987A | 公开(公告)日: | 2008-11-12 |
发明(设计)人: | 沈满华;张世谋;王新鹏;孙武 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/3213 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李文红 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括:
提供半导体结构,在所述半导体结构上具有铝焊垫,在所述半导体结构和铝焊垫上具有钝化层;
在所述钝化层上形成光刻胶层,并图形化所述光刻胶层,形成开口图案;
刻蚀所述开口图案底部的钝化层,在所述钝化层中形成开口;
去除所述光刻胶层;
用含有硫酸和双氧水的水溶液清洗所述开口底部和侧壁,所述含有硫酸和双氧水的水溶液中硫酸的浓度为1%至5%,双氧水的浓度为3至10%;
用含有氢氟酸和氨水的水溶液清洗所述开口底部和侧壁,所述含有氢氟酸和氨水的水溶液中氢氟酸的浓度为3%至7%,氨水的浓度小于2%。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:用含有硫酸和双氧水的水溶液清洗的工艺中清洗的方法为浸泡或喷淋;用含有氢氟酸和氨水的水溶液清洗的工艺中清洗的方法为浸泡或喷淋。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:所述用含有硫酸和双氧水的溶液清洗的时间为10至60s。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:所述用含有氢氟酸和氨水的溶液清洗的时间为60至180s。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:所述含有硫酸和双氧水的水溶液中还包含有氢氟酸。
6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:所述含有硫酸和双氧水的水溶液中硫酸的浓度为3%,双氧水的浓度为7%。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:所述含有氢氟酸和氨水的水溶液中氢氟酸的浓度为5%,氨水的浓度为1%。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:所述用含有氢氟酸和氨水的水溶液清洗所述开口底部和侧壁的步骤分为多次进行;且随着清洗次数的增加,氢氟酸和氨水的浓度依次减小。
9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,该方法进一步包括:用去离子水清洗所述开口的侧壁和底部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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