[发明专利]发光元件结构与制造方法

权利要求书

1.一种发光元件结构，适用于一半导体晶粒，该半导体晶粒的P、N电极分别位于元件相对之正反二面，该发光元件结构至少包含：一具有导电性的延伸基板，该晶粒正面朝下且以一导电性黏接层固接于该延伸基板的上表面上；一绝缘层，涵盖该晶粒朝上反面的一部分，然后沿该晶粒一侧边表面向下延伸，最后再沿着该延伸基板之上表面延伸一适当范围；一第一电极，与该晶粒朝上之反面且未被该绝缘层覆盖之部分接合，然后沿着该绝缘层一直延伸到该延伸基板上；以及一第二电极，位于该延伸基板之上表面的适当位置处。

2.如权利要求1所述的发光元件结构，其特征在于：其延伸基板的材质为硅、玻璃、碳化硅、砷化镓、氮化镓/铝、蓝宝石、氧化铍化合物晶体、金属、具有钻石/碳化硅膜之晶圆的其中一种。

3.如权利要求2所述的发光元件结构，其特征在于：该延伸基板之材质若不具有导电性，则其上表面将设置有一导电层。

4.如权利要求1所述的发光元件结构，其特征在于：该第一、第二电极至少有一个具有一垂直贯通该电极与该延伸基板的穿孔。

5.一种发光元件结构，适用于一正面分别暴露出P电极与N电极的半导体晶粒，其至少包含有一延伸基板，该晶粒正面朝上且以一黏接层固接于该延伸基板的上表面上；一绝缘层，其第一部份涵盖该晶粒P形层的一部分，然后沿该晶粒的一个侧边表面向下延伸，最后再沿着该延伸基板的上表面延伸一适当范围，其另一第二部份涵盖该晶粒N形层的一部分，然后沿该晶粒的另一侧边表面向下延伸，最后再沿着该延伸基板的上表面延伸一适当范围；一第一电极，其与该晶粒P形层的上表面、未被该绝缘层第一部份覆盖的部分接合，然后沿着该绝缘层第一部份一直延伸到该延伸基板上；以及一第二电极，与该晶粒N形层的上表面、未被该绝缘层第二部分覆盖的部分接合，然后沿着该绝缘层第二部分一直延伸到该延伸基板上。

6.如权利要求5所述的发光元件结构，其特征在于：该延伸基板的材质为硅、玻璃、碳化硅、砷化镓、氮化镓/铝、蓝宝石、氧化铍化合物晶体、金属或具有钻石/碳化硅膜之晶圆的其中之一种。

7.如权利要求5所述的发光元件结构，其特征在于：该第一、第二电极至少有一个具有一垂直贯通该电极与该延伸基板的穿孔。

8.如权利要求1所述的发光元件结构，其特征在于：该半导体晶粒是一种发光二极管。

9.如权利要求1所述的发光元件结构，其特征在于：该半导体晶粒是一种半导体激光。

10.一种发光元件结构的制造方法，适用于一半导体晶粒，该半导体晶粒的P、N电极分位于改元件相对的正反二面，该制造方法至少包含下列步骤：提供一具有导电性的延伸基板；将该晶粒正面朝下且以一导电性黏接层固接于该延伸基板之一上表面；提供一绝缘层，该绝缘层涵盖该晶粒朝上之反面的一部分，然后沿该晶粒的一侧边表面向下延伸，最后再沿着该延伸基板的上表面延伸一适当范围；提供一第一电极，该第一电极为与该晶粒朝上之该反面、未被该绝缘层覆盖之部分接合，然后沿着该绝缘层一直延伸到该延伸基板上；以及提供一第二电极，该第二电极位于该延伸基板上表面的适当位置处。

11.如权利要求10所述的发光元件结构的制造方法，其特征在于：该延伸基板的材质为硅、玻璃、碳化硅、砷化镓、氮化镓/铝、蓝宝石、氧化铍化合物晶体、金属或具有钻石/碳化硅膜之晶圆的其中之一种。

12.如权利要求11所述的发光元件结构的制造方法，其特征在于：该延伸基板的材质若不具有导电性，则在其上表面提供一导电层。

13.如权利要求10所述的发光元件结构的制造方法，进一步包含下列步骤：提供至少一穿孔，该穿孔垂直贯通第一、第二电极其中之一以及该延伸基板。

14.如权利要求10所述的发光元件结构的制造方法，进一步包含下列步骤：若该晶粒采用不透明、或是非导电性的基板，则先将该基板去除以暴露出该晶粒的磊晶层。

15.如权利要求10所述的发光元件结构的制造方法，其特征在于：该半导体晶粒为一种发光二极管。

16.如权利要求10所述的发光元件结构的制造方法，其特征在于：该半导体晶粒为一种半导体激光。