[发明专利]一种非破坏性检测衬底表面形貌的方法有效
申请号: | 200710041037.9 | 申请日: | 2007-05-22 |
公开(公告)号: | CN101312138A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
发明(设计)人: | 庄燕萍;邹永祥;张轲;王鹢奇 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B21/20 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 2012*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 破坏性 检测 衬底 表面 形貌 方法 | ||
1.一种非破坏性检测衬底表面形貌的方法,该衬底表面具有凸起结构及/或凹陷结构,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)提供一平坦衬底、一厚度预选范围以及一具有特定图形的光罩,在该预选范围中选取不同的厚度且在该平坦衬底上分别涂敷所选厚度的光阻,再使用该光罩在该光阻上光刻出该特定图形;(2)测得该不同厚度的光阻所对应的该特定图形的特征尺寸;(3)依据测得的特征尺寸及其对应的光阻厚度绘制出光阻厚度与特征尺寸的关系曲线图,并将该曲线图储存在一数据库中;(4)在待测的衬底上涂敷预选厚度范围中一选定厚度的光阻,再使用一具有多个该特定图形的光罩在该光阻上光刻出该多个特定图形;(5)测得该多个特定图形的特征尺寸;(6)依据所测得的特征尺寸以及数据库中所储存的曲线图得出该待测衬底的表面形貌,其中,该凸起结构的高度及该凹陷结构的深度均小于一预设值,该预设值为100埃。
2.如权利要求1所述的非破坏性检测衬底表面形貌的方法,其特征在于,在步骤(6)中,当步骤(5)中测到的特征尺寸小于数据库中选定厚度所对应的特征尺寸时,该特定图形覆盖的结构为凸起结构,当步骤(5)中测到的特征尺寸大于数据库中选定厚度所对应的特征尺寸时,该特定图形覆盖的结构为凹陷结构。
3.如权利要求1所述的非破坏性检测衬底表面形貌的方法,其特征在于,在步骤(6)中,该选定厚度与步骤(5)中测到的特征尺寸在数据库中所对应的光阻厚度的差值即为该凸起结构的高度或该凹陷结构的深度。
4.如权利要求1所述的非破坏性检测衬底表面形貌的方法,其特征在于,该预设值为100埃。
5.如权利要求1所述的非破坏性检测衬底表面形貌的方法,其特征在于,该预选厚度范围为3000埃至4000埃。
6.如权利要求1所述的非破坏性检测衬底表面形貌的方法,其特征在于,在步骤(1)中,以一厚度间隔在该预选厚度范围中选取不同的厚度。
7.如权利要求6所述的非破坏性检测衬底表面形貌的方法,其特征在于,该厚度间隔为100埃。
8.如权利要求1所述的非破坏性检测衬底表面形貌的方法,其特征在于,该选定厚度为3800埃。
9.如权利要求1所述的非破坏性检测衬底表面形貌的方法,其特征在于,该特定图形为边长为0.18微米的正方形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造