[发明专利]熔丝结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200710041095.1 | 申请日： | 2007-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101312153A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 欧阳雄;罗文哲;李智;黄强;姜敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种熔丝的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
依次在半导体衬底上形成第一介质层和多晶硅层，所述多晶硅层采用形成晶体管的多晶硅层；
在多晶硅层中形成至少两个相邻掺杂区域，所述两个相邻掺杂区域的导电类型相反；
在具有至少两个掺杂区域的多晶硅层上形成硅化物层；
在硅化物层上形成第二介质层；
在第二介质层中形成通孔，所述通孔暴露出硅化物层；
采用导电材料填充通孔并与硅化物层相接触；
在第二介质层上对着填充有导电材料的通孔位置形成金属垫。
2.根据权利要求1所述的熔丝的形成方法，其特征在于，所述多晶硅层中形成的掺杂区域为两个，分别为在进行源/漏离子注入工艺中或者在进行源/漏延伸区离子注入工艺中同时形成。
3.根据权利要求1所述的熔丝的形成方法，其特征在于，所述多晶硅层中形成的掺杂区域为三个，为在进行源/漏离子注入工艺中或者在进行源/漏延伸区离子注入工艺中同时形成。
4.根据权利要求1所述的熔丝的形成方法，其特征在于，所述通孔中填充的导电材料以及金属垫为金属铝。
5.根据权利要求1所述的熔丝的形成方法，其特征在于，所述硅化物为金属钨、钛、镍、钴、钽或者铂的硅化物。
6.一种熔丝结构，其特征在于，包括：
半导体衬底；
依次位于半导体衬底上的第一介质层和多晶硅层，所述多晶硅层采用形成晶体管的多晶硅层；
位于多晶硅层中的至少两个相邻掺杂区域，所述两个相邻掺杂区域的导电类型相反；
位于具有至少两个掺杂区域的多晶硅层上的硅化物层；
位于硅化物层上的第二介质层；
位于第二介质层中的通孔以及填充于通孔内的导电材料；
位于第二介质层上对着填充有导电材料的通孔位置形成的金属垫。
7.根据权利要求6所述的熔丝结构，其特征在于，所述多晶硅层中形成的掺杂区域依次为两个，分别为在进行源/漏离子注入工艺中或者在进行源/漏延伸区离子注入工艺中同时形成。
8.根据权利要求6所述的熔丝结构，其特征在于，所述多晶硅层中形成的掺杂区域为三个，分别为在进行源/漏离子注入工艺中或者在进行源/漏延伸区离子注入工艺中同时形成。
9.根据权利要求6所述的熔丝结构，其特征在于，所述通孔中填充的导电材料以及金属垫为金属铝。
10.根据权利要求6所述的熔丝结构，其特征在于，所述硅化物为金属钨、钛、镍、钽或者铂的硅化物。
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