[发明专利]浅沟槽隔离的制造方法

权利要求书

1、一种浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上具有依次形成的垫氧化层和硬掩膜层，在所述半导体衬底中形成有沟槽，在所述垫氧化层和所述硬掩膜层中与沟槽相应的位置具有开口；

在所述沟槽中、所述开口中和所述硬掩膜层上形成介质层，并通过平坦化工艺去除所述硬掩膜层上的介质层材料；

刻蚀所述沟槽和所述开口中的介质层，使所述沟槽和所述开口中的介质层表面与所述半导体衬底表面之间的高度差减小，并使所述介质层边缘形成突起。

2、如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：刻蚀所述沟槽和所述开口中的介质层步骤中的刻蚀方法为湿法刻蚀或干法刻蚀。

3、如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：刻蚀所述沟槽和所述开口中的介质层步骤中的刻蚀方法为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的刻蚀溶液对所述介质层的刻蚀速率比对所述硬掩膜层的刻蚀速率大。

4、如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：刻蚀所述沟槽和所述开口中的介质层的方法为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的步骤如下：用第一浓度的刻蚀溶液对所述介质层进行刻蚀；然后，用第二浓度的刻蚀溶液对所述介质层进行刻蚀。

5、如权利要求4所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：所述第二浓度小于第一浓度。

6、如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：刻蚀所述沟槽和所述开口中的介质层的方法为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀分为多次进行，且所述湿法刻蚀的刻蚀溶液浓度随着次数增加而减小。

7、如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：刻蚀所述沟槽和所述开口中的介质层步骤中的刻蚀方法为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的刻蚀溶液为氢氟酸溶液。

8、如权利要求7所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：所述氢氟酸溶液中氢氟酸与水的容积比为1∶200至1∶50。

9、如权利要求7所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：所述湿法刻蚀的时间为10至50秒。

10、如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：刻蚀所述沟槽和所述开口中的介质层的方法为干法刻蚀；在所述干法刻蚀之前，在所述硬掩膜层上形成保护层；在完成所述干法刻蚀之后，去除所述保护层。

11、如权利要求10所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：所述保护层为光刻胶。

12、如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：所述介质层为氧化硅、氮氧化硅中的一种或组合。

13、如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于，该方法进一步包括：完成刻蚀所述沟槽和所述开口中的介质层步骤后，去除所述硬掩膜层和垫氧化层。

14、如权利要求13所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：去除所述硬掩膜层的方法为磷酸溶液的湿法刻蚀；去除所述垫氧化层的方法为氢氟酸溶液的湿法刻蚀。