[发明专利]CMOS图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器，包括：

位于半导体衬底上的至少一个CMOS图像传感器像素单元对，所述CMOS图像传感器像素单元对包括列向相邻的第一像素单元和第二像素单元，所述每个像素单元包括光电二极管区域和驱动电路区域，其中，

驱动电路区域形成有输出晶体管，

其特征在于，第一像素单元的输出晶体管和第二像素单元的输出晶体管的漏极共用，作为共用的输出端。

2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于：所述第一像素单元与第二像素单元关于共用的输出端对称；

第一像素单元的输出晶体管的栅极与形成于同一层的多晶硅行选导线相连，且与外围行选电路相连；

第一像素单元源跟随晶体管的源极与第一像素单元输出晶体管源极共用；

第一像素单元的复位晶体管的漏极与第一像素单元的源跟随晶体管漏极共用、源极位于光电二极管区域内、栅极通过形成于同一层的多晶硅复位导线与外围复位控制电路相连。

3.根据权利要求2所述的CMOS图像传感器，其特征在于：每个像素单元的多晶硅行选导线与多晶硅复位导线相互平行，且相邻的第一像素单元和第二像素单元的多晶硅行选导线相互平行，多晶硅复位导线相互平行。

4.根据权利要求3所述的CMOS图像传感器，其特征在于：所述光电二极管区域包括形成于半导体衬底中的与半导体衬底导电类型相反的深掺杂阱、位于深掺杂阱上的与深掺杂阱导电类型相反的浅掺杂区。

5.根据权利要求4所述的CMOS图像传感器，其特征在于：半导体衬底上还形成有第一介质层；

在第一介质层中对着第一像素单元和第二像素单元的输出晶体管的共用的输出端处的填充有导电材料的输出接触孔；

在第一介质层中分别对着第一像素单元和第二像素单元的深掺杂阱位置处的填充有导电材料的深掺杂阱接触孔；

在第一介质层中分别对着第一像素单元和第二像素单元的复位晶体管的漏极位置处的填充有导电材料的电源连接接触孔；

在第一介质层中分别对着第一像素单元和第二像素单元的源跟随晶体管的栅极位置处的填充有导电材料的源跟随接触孔。

6.根据权利要求5所述的CMOS图像传感器，其特征在于：所述CMOS图像传感器还包括第一介质层上对着输出接触孔位置处的由第一金属层构成的输出金属线，所述输出金属线与外围输出电路相连；

第一介质层上对着电源连接接触孔位置处的由第一金属层构成的电源连接金属线；

以及由第一金属层构成的把每个CMOS图像传感器像素单元的深掺杂阱接触孔与源跟随接触孔相连的导线。

7.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器，其特征在于：所述CMOS图像传感器还包括位于第一金属层上的第二介质层、以及第二介质层中对着每个CMOS图像传感器像素单元对的两个电源连接金属线位置处的填充有导电材料的电源接触孔。

8.根据权利要求7所述的CMOS图像传感器，其特征在于：所述第二介质层上对着每个CMOS图像传感器像素单元对的两个电源接触孔处形成有由第二金属层构成的电源金属线，所述电源金属线与外围供电电源电路相连。

9.一种CMOS图像传感器的形成方法，包括：

将位于半导体衬底上的CMOS图像传感器分为至少一个CMOS图像传感器像素单元对区域，所述CMOS图像传感器像素单元对包括列向相邻的第一像素单元和第二像素单元；

将每个像素单元分为光电二极管区域和驱动电路区域；

在光电二极管区域形成光电二极管；

在驱动电路区域形成带有输出晶体管的驱动电路；

其特征在于，第一像素单元的输出晶体管和第二像素单元的输出晶体管漏极共用，作为共用输出端。

10.根据权利要求9所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于：所述第一像素单元与第二像素单元关于共用的输出端对称；

第一单元的输出晶体管的栅极通过形成于同一层的多晶硅行选导线与外围行选电路相连；

第一单元的源跟随晶体管的源极与第一单元的输出晶体管源极共用；

第一单元的复位晶体管的栅极通过形成于同一层的多晶硅复位导线与外围复位控制电路相连、漏极与第一单元的源跟随晶体管漏极共用、源极位于光电二极管区域内。