[发明专利]微孔阵列聚酯类模板的掩膜电子束辐照制备方法

权利要求书

1.一种微孔阵列聚酯类模板的掩膜电子束辐照制备方法，其特征在于具有以下的制备过程和步骤：

a.首先制备金属掩膜：用355nm的紫外光激光器在金属膜上打出微米级规整排列的小孔，形成具有微孔阵列结构的金属掩膜；

b.将上述金属掩膜覆盖在聚酯类高分子薄膜上，并放在电子加速器产生的高能电子束下，以300～1200KGy的剂量进行辐照，对聚酯类高分子薄膜进行蚀刻；

c.将辐照后的聚酯类高分子薄膜经酸洗、碱洗前处理后，浸入到腐蚀液中；腐蚀液为用去离子水配制的H₂SO₄和K₂Cr₂O₇的混合溶液，H₂SO₄溶液的浓度为7.0～10.0mol/L，K₂Cr₂O₇溶液的浓度为0.10～0.30mol/L；在腐蚀液中进行蚀刻的温度为70～90℃，控制蚀刻的时间为7～10小时；

d.将上述腐蚀蚀刻好的聚酯类高分子薄膜样品用去离子水彻底清洗后放入干燥箱，干燥后即得图案排列规则、尺寸一致的微孔阵列聚酯类高分子模板；

所述的聚酯类高分子薄膜是指PET或PC薄膜。