[发明专利]改善微反射镜间介质层缺陷及制作硅基液晶显示器的方法有效
| 申请号： | 200710041354.0 | 申请日： | 2007-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101315501A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 向阳辉;曾贤成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 反射 介质 缺陷 制作 液晶显示器 方法 | ||
1.一种改善微反射镜间介质层缺陷的方法，其特征在于，包括下列步骤：
首先提供带有金属层的硅基底，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽；
在金属层上沉积介质层，且介质层填充满沟槽；
对介质层进行酸蚀，使介质层在沟槽处的开口宽度从10000埃～13000埃增大至20000埃～25000埃；
在介质层上形成光阻层；
蚀刻光阻层和介质层至露出金属层，形成微反射镜阵列。
2.根据权利要求1所述改善微反射镜间介质层缺陷的方法，其特征在于：所述酸蚀采用的液体为缓冲氧化蚀刻剂。
3.根据权利要求2所述改善微反射镜间介质层缺陷的方法，其特征在于：所述缓冲氧化蚀刻剂的浓度为0.5％。
4.根据权利要求3所述改善微反射镜间介质层缺陷的方法，其特征在于：所述酸蚀时间为1分钟～20分钟。
5.根据权利要求1所述改善微反射镜间介质层缺陷的方法，其特征在于：所述光阻层的厚度为800埃～1000埃。
6.一种制作硅基液晶显示器的方法，其特征在于，包括下列步骤：
首先提供包含晶体管和电容器的硅基底，在硅基底上依次形成有像素开关电路层、导电层、绝缘层及金属层，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽；
在金属层上沉积介质层，且介质层填充满沟槽；
对介质层进行酸蚀，使介质层在沟槽处的开口宽度从10000埃～13000埃增大至20000埃～25000埃；
在介质层上形成光阻层；
蚀刻光阻层和介质层至露出金属层，形成微反射镜阵列。
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