[发明专利]半导体器件栅极残留最大允许值确定方法

权利要求书

1.一种半导体器件栅极残留最大允许值确定方法，其特征在于，包括如下步骤：

根据栅极残留在沟道长度方向和栅极厚度方向的尺寸关系，建立栅极残留的形状模型；

根据栅极残留的形状模型计算栅极残留在沟道长度方向和栅极厚度方向的尺寸取不同值时的半导体器件的电性能参数，并得到栅极残留在沟道长度方向和栅极厚度方向的尺寸与半导体器件电性能参数的关系；

挑选栅极残留在沟道长度方向和栅极厚度方向的尺寸为零时的半导体器件的电性能参数为标准值，并设定存在栅极残留时半导体器件的电性能参数允许的最大波动范围为±X％×标准值；

根据栅极残留在沟道长度方向和栅极厚度方向的尺寸与半导体器件电性能参数的关系，分别计算半导体器件的电性能参数为(1±X％)×标准值时对应的栅极残留在沟道长度方向和栅极厚度方向的尺寸；

选定上步所述尺寸中的最小值作为栅极残留的最大允许值。

2.根据权利要求1所述半导体器件栅极残留最大允许值确定方法，其特征在于，所述栅极残留的形状模型为：

模型a)：栅极残留在沟道长度方向的尺寸标记为La，栅极残留在栅极厚度方向的尺寸标记为Ha，其中Ha大于La；

或模型b)：栅极残留在沟道长度方向的尺寸标记为Lb，栅极残留在栅极厚度方向的尺寸标记为Hb，其中Hb等于Lb；

或模型c)：栅极残留在沟道长度方向的尺寸标记为Lc，栅极残留在栅极厚度方向的尺寸标记为Hc，其中Hc小于Lc。

3.根据权利要求1所述半导体器件栅极残留最大允许值确定方法，其特征在于，所述电性能参数为半导体器件的Idsat。

4.根据权利要求1所述半导体器件栅极残留最大允许值确定方法，其特征在于，所述电性能参数为半导体器件的Idsat，Vthlin。

5.根据权利要求1所述半导体器件栅极残留最大允许值确定方法，其特征在于，所述电性能参数为半导体器件的Idsat，Vthlin和Leff。

6.根据权利要求1所述半导体器件栅极残留最大允许值确定方法，其特征在于，所述电性能参数为半导体器件的Idsat，Vthlin和Cgd0。

7.根据权利要求1所述半导体器件栅极残留最大允许值确定方法，其特征在于，所述电性能参数为半导体器件的Idsat，Vthlin，Leff和Cgd0。

8.根据权利要求1所述半导体器件栅极残留最大允许值确定方法，其特征在于，X值为0至20。

9.根据权利要求8所述半导体器件栅极残留最大允许值确定方法，其特征在于，X值为5。

10.根据权利要求1所述半导体器件栅极残留最大允许值确定方法，其特征在于，所述栅极材料为多晶硅。