[发明专利]气体控制器、气体控制器的保护装置及保护方法有效
申请号: | 200710041358.9 | 申请日: | 2007-05-28 |
公开(公告)号: | CN101315869A | 公开(公告)日: | 2008-12-03 |
发明(设计)人: | 吴卫卫;于永航 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李文红 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气体 控制器 保护装置 保护 方法 | ||
1.一种气体控制器,包括控制头、控制杆、控制体,以及位于所述控制体内的气路,通过控制头带动控制杆,实现对流过控制体内的气体的流量大小或导通/截止状态的调整,其特征在于:还包括壳体,所述壳体在靠近控制杆的一端具有第一开口,部分所述控制体通过该第一开口放置于所述壳体内,所述壳体在所述气体控制器的部分控制体的周围形成密闭的空间;所述壳体具有第二开口,所述控制体内的气路通过该第二开口与外部相连;所述壳体还具有用于向所述壳体内充入具有室温或较高温度的辅助气体的进气口和用于从所述壳体内排出辅助气体的排气口。
2.如权利要求1所述的气体控制器,其特征在于:所述进气口与氮气或压缩空气的管路相连。
3.如权利要求1或2所述的气体控制器,其特征在于:所述排气口与真空泵相连。
4.如权利要求1所述的气体控制器,其特征在于:所述控制体内的气路包含于所述放置于所述壳体内的控制体内。
5.如权利要求4所述的气体控制器,其特征在于:至少一个所述进气口的位置不低于位于所述控制体内的与所述气路相连的控制膜片。
6.如权利要求1所述的气体控制器,其特征在于:所述壳体远离控制杆的一端还具有一个第一开口,所述控制体分别通过靠近及远离控制杆的两个第一开口放置于壳体内。
7.如权利要求1所述的气体控制器,其特征在于:所述壳体具有至少两个第二开口,分别对应于所述控制体内气路的各个入口和出口。
8.如权利要求1所述的气体控制器,其特征在于:所述第一开口和第二开口处具有垫圈。
9.如权利要求1所述的气体控制器,其特征在于:所述气体控制器包括气体压力调节器或气体开关阀。
10.一种气体控制器的保护装置,其特征在于:所述气体控制器包括控制头、控制杆、控制体,以及位于所述控制体内的气路,通过控制头带动控制杆,实现对流过控制体内的气体的流量大小或导通/截止状态的调整,所述保护装置包含壳体,所述壳体在靠近控制杆的一端具有第一开口,所述控制体通过该第一开口放置于所述壳体内,所述壳体在所述气体控制器的部分控制体的周围形成密闭的空间;所述壳体具有第二开口,所述控制体内的气路通过该第二开口与外部相连;所述壳体还具有用于向所述壳体内充入具有室温或较高温度的辅助气体的进气口和用于从所述壳体内排出辅助气体的排气口。
11.如权利要求10所述的保护装置,其特征在于:所述进气口与氮气或压缩空气的管路相连。
12.如权利要求10或11所述的保护装置,其特征在于:所述排气口与真空泵相连。
13.如权利要求10所述的保护装置,其特征在于:所述壳体远离控制杆的一端还具有一个第一开口,所述控制体分别通过靠近及远离控制杆的两个第一开口放置于壳体内。
14.如权利要求10所述的保护装置,其特征在于:所述壳体具有至少两个第二开口,分别对应于所述控制体内气路的各个入口和出口。
15.如权利要求10所述的保护装置,其特征在于:所述第一开口和第二开口处具有垫圈。
16.一种气体控制器的保护方法,其特征在于,所述气体控制器包括控制头、控制杆、控制体,以及位于所述控制体内的气路,通过控制头带动控制杆,实现对流过控制体内的气体的流量大小或导通/截止状态的调整,所述方法包括步骤:
利用壳体在气体控制器的部分控制体的周围形成密闭空间;
在所述气体控制器工作期间,所述壳体的进气口通入具有室温或较高温度的辅助气体,所述壳体的排气口排出辅助气体。
17.如权利要求16所述的保护方法,其特征在于:所述辅助气体为氮气或压缩空气。
18.如权利要求16或17所述的保护方法,其特征在于:所述辅助气体的流量在50至150psi之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造